多晶硅片清洗為什么要用到超純水設備？

多晶硅片,半導體器件生產中硅片須經(jīng)嚴格清洗。微量污染也會導致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質，包括有機物和無機物。這些雜質有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等，嚴重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導；堿金屬如鈉等，引起嚴重漏電；顆粒污染包括硅渣、塵埃、細菌、微生物、有機膠體纖維等，會導致各種缺陷。所以清洗多晶硅，半導體，太陽能光伏電池板必須用超純水，目前制取超純水工藝可分為反滲透+混床超純水設備，二是反滲透+EDI超純水設備，這是兩種制取超純水設備常用的工藝。

超純水設備是指采用預處理、反滲透技術、超純化處理以及后級處理等方法，將水中的導電介質幾乎*去除，又將水中不離解的膠體物質、氣體及有機物均去除至很低程度的水處理設備，用于制取超純水的機器，超純水zui初是美國科技界為了研制超純材料（半導體原件材料、納米精細陶瓷材料等）應用蒸餾、去離子化、反滲透技術或其它適當?shù)某R界精細技術生產出來的水，這種水中除了水分子（H20）外，幾乎沒有什么雜質，更沒有細菌、病毒、含氯二惡英等有機物，當然也沒有人體所需的礦物質微量元素，超純水無硬度，口感較甜，又常稱為去離子水，可直接飲用，也可煮沸飲用。超純水,是一般工藝很難達到的程度，如水的電阻率大于18MΩ*cm，接近于18.3MΩ*cm則稱為超純水。
超純水設備行業(yè)水質標準超純水水質分為五個行業(yè)標準，分別為18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm，以區(qū)分不同水質。

超純水設備技術發(fā)展史：

*代：預處理 -陽床-陰床-混床

第二代：預處理 -反滲透-混床

第三代：預處理 -反滲透-電去離子（EDI）

多晶硅片,半導體器件，太陽能光伏行業(yè)硅片清洗水質要求非常高，電阻率達18兆以上，目前工藝是全膜法制取超純水，全膜法超純水設備是指采用盤濾+UF+RO+EDI+SMB組成的工藝設備，即預處理采用盤濾過濾器+超濾工藝，除鹽采用二級反滲透＋EDI工藝使産水電阻率達到15MΩ.cm以上，終端供水采用變頻供水泵＋二級精精混床＋終端超濾膜使産水電阻率達到18.2MΩ.cm，經(jīng)處理后的產水水質達到《電子級水GB/T11446.1-1997 Ⅰ級》水質標準。

全膜法超純水設備該超純水設備關鍵技術EDI系電滲析（ED）和離子交換技術（DI）有機結合，達到連續(xù)除鹽、運行維護簡單、無酸堿排放污染。在膜處理系統(tǒng)中，用做前處理的超濾一般使用直徑1mm的中空纖維，以脫除原水中的懸浮物及膠體，UF用作前處理的zui大問題是膜污染及膜孔堵塞，為此常在前面設置預過濾器，以去除大粒徑懸浮物，在預過濾前加絮凝劑，如PAC（聚丙稀酸）可提高過濾水質，并降低膜阻力。對電廠鍋爐補給水系統(tǒng)要求的溶氧量一般要求為0.3 mg/L以下,為此脫氣膜應該在低于5.33Kpa（40TORR）的真空度下操作?？刂葡到y(tǒng)采用工控機程控控制，可實現(xiàn)自動起停，加藥及沖洗，自動監(jiān)測各種運行參數(shù)，以便生產管理。

全膜法超純水設備系統(tǒng)有如下優(yōu)點：

1、連續(xù)運行禪水質穩(wěn)定品質更佳。

2、系統(tǒng)運行可靠性穩(wěn)定。

3、運行成本低。

4、占地面積小。

5、自動化程度高。

6、操作及維護簡單，無需接觸酸堿。

7、使用安全及環(huán)境良好。

8、無污水排放，無環(huán)境污染。

硅是地球上儲藏zui豐富的材料之一，從19世紀科學家們發(fā)現(xiàn)了晶體硅的半導體特性后，它幾乎改變了一切，甚至人類的思維。直到上世紀60年代開始，硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料――因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件的特性而成為應用zui多的一種半導體材料，目前的集成電路半導體器件大多數(shù)是用硅材料制造的。現(xiàn)在，我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近15年來形成產業(yè)化zui快的。

熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。單晶硅棒是生產單晶硅片的原材料，隨著國內和市場對單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。

單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領域，廣泛用于大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節(jié)能燈、電視機等系列產品。目前晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領域。

由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應用zui廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。

單晶硅也稱硅單晶，是電子信息材料中zui基礎性材料，屬半導體材料類。單晶硅已滲透到國民經(jīng)濟和國防科技中各個領域，當今超過2000億美元的電子通信半導體市場中95%以上的半導體器件及99%以上的集成電路用硅。

多晶硅是由許多硅原子及許多小的晶粒組合而成的硅晶體。由于各個晶粒的排列方向彼此不同，其中有大量的缺陷。多晶硅一般呈深銀灰色，不透明，具有金屬光澤，性脆，常溫下不活潑。多晶硅是用金屬硅（工業(yè)硅）經(jīng)化學反應、提純,再還原得到的高純度材料（也叫還原硅）。目前世界上多晶硅生產的方法主要有改良西門子法（SiHCl3）、新硅烷法（SiH4）、SiH2Cl2熱分解法、SiCl4法等多晶硅生產工藝。當前多晶硅的市場狀況是：從上來看，早幾年多晶硅還處于供過于求的局面，2004年開始，由于太陽能產業(yè)的發(fā)展，太陽能用多晶硅供不應求，導致多晶硅供應緊張。在國內，我國多晶硅生產長期不能滿足國內市場需要，嚴重依賴于進口。

太陽能電池片,中文名稱:太陽能電池板 英文名稱:solar cell panel 定義:由若干個太陽能電池組件按一定方式組裝在一塊板上的組裝件.太陽能電池板 Solar panel,分類：晶體硅電池板：多晶硅太陽能電池、單晶硅太陽能電池。非晶硅電池板：薄膜太陽能電池、有機太陽能電池。太陽能電池板：太陽能電池板是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的核心部分，也是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中價值zui高的部分。其作用是將太陽能轉化為電能，或送往蓄電池中存儲起來，或推動負載工作。太陽能電池板的質量和成本將直接決定整個系統(tǒng)的質量和成本。

益民水處理生產的超純水設備處力：按客戶要求設計

出水指標：≥16-18.2MΩ．CM

產水用途：電子、單晶硅/多晶硅用工業(yè)超純水、純水、單晶硅多晶硅清洗超純水、硅片硅材料清洗超純水

我們公司專業(yè)生產全膜法超純水設備，有多年的生產經(jīng)驗，尤其在電控系統(tǒng)PLC方面在水處理行業(yè)技術都是比較成熟，我們也有做過很多各行業(yè)的水處理設備，這方面我們有豐富的經(jīng)驗。我們公司做出來的設備質量比他們都有優(yōu)勢，在國內具有一定的市場竟爭力。該產品由于具備性能好、*國外同類產品價格、供貨及時、售后服務方便快捷等諸多優(yōu)勢。在硅片，太陽能光伏，半導體，LED、LCD、光電光學企業(yè)的脫鹽水和超純水裝置，得到了業(yè)界的廣泛贊譽，歡迎廣大客戶前來參觀考察。益民爭創(chuàng)業(yè)內水處理*品牌-竭誠為新老客人提供產品和技術服務。

全膜法超純水設備在設備設計上，采用成熟、可靠、*、自動化程度高的兩級RO＋EDI水處理工藝，預處理采用盤濾過濾器+超濾工藝，除鹽采用二級反滲透＋EDI工藝使産水電阻率達到15MΩ.cm以上，終端供水采用變頻供水泵＋二級精精混床＋終端超濾膜確保處理后的超純水水質電阻率達到18.2MΩ.cm，利用率高，運行可靠，經(jīng)濟合理。關鍵設備及材料均采用主流*可靠產品，采用PLC＋觸摸屏控制，全套系統(tǒng)自動化程度高，系統(tǒng)穩(wěn)定性高。大大節(jié)省人力成本和維護成本。使設備與其它同類產品相比較，具有更高的性價比和設備可靠性。
作者：益民水處理來源：超純水設備