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深圳海納光學(xué)有限公司

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美國Opto diode光電二極管陣列
美國Opto diode光電二極管陣列
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更新時間:2022-11-10 11:16:29瀏覽次數(shù):581

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【簡單介紹】
產(chǎn)地 進(jìn)口
美國Opto diode光電二極管陣列
光電二極管陣列可以在紫外、可見、近紅外光中進(jìn)行響應(yīng),Opto Diode光電探測器陣列包括AXUV16ELG光電二極管陣列和AXUV20ELG光電探測器陣列這兩個型號.

美國Opto diode光電二極管陣列


AXUV16ELG光電二極管陣列,Opto Diod光電探測器陣列


Opto Diode提供標(biāo)準(zhǔn)和定制配置的多元素或陣列探測器,以緊湊的封裝提供AXUV、SXUV、UVGNXIR系列的所有優(yōu)點

Opto Diode光電二極管陣列有兩種型號,采用40針雙列式封裝或者22針雙列式封裝,是電子檢測的理想選擇。有保護(hù)性蓋板,以保護(hù)光電二極管陣列和導(dǎo)線連接。Opto Diode光電探測器陣列可以在紫外、可見、近紅外光中進(jìn)行響應(yīng),從典型的紫外-可見-近紅外光子響應(yīng)性圖中可以看到靈敏度小于0.5A/W。

光電二極管陣列有效面積分別是3mm210mm2,AXUV16ELG光電二極管陣列是16個元件光電二極管陣列,AXUV20ELG多元素陣列是20個元素的陣列。光電二極管陣列儲存和工作溫度范圍在外界下是-10°C~40°C,在氮氣和真空下溫度是-20°C~80°C,引線焊接的溫度是260°C。超過這些參數(shù)的溫度可能會在有源區(qū)產(chǎn)生氧化物生長。隨著時間的推移,對低能量輻射和150納米以下波長的響應(yīng)性將受到影響。距離外殼0.080英寸,持續(xù)10秒。發(fā)貨時帶有臨時蓋子,以保護(hù)Opto Diode光電探測器陣列和導(dǎo)線連接。在拆除蓋子之前,請查看應(yīng)用說明 "AXUV、SXUVUVG檢測器的處理注意事項"。


Opto Diode光電二極管陣列型號


AXUV16ELG光電二極管陣列的特點

- 40針雙列式封裝

- 是電子檢測的理想選擇

- 保護(hù)性蓋板

25°C時的電光特性

AXUV16ELG光電二極管陣列在2mmx5mm的測試條件下,有效面積的典型值是10mm2。當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時,反向擊穿電壓典型值是25V。VR=0V時,電容的典型值是700pF,最大值是2000Pf。VR=0V測試條件下,上升時間典型值為500納秒。在Vf=±10mV測試條件下時,每個元件的分流電阻值是100歐姆。

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AXUV20ELG光電探測器陣列的特點

- 22針雙列式封裝

- 是電子檢測的理想選擇

- 保護(hù)性蓋板3    

AXUV20ELG光電探測器陣列在0.75mmx4.1mm的測試條件下,有效面積的典型值是3mm2,靈敏度見圖,當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時,反向擊穿電壓典型值是25V,最小值是20VVR=0V時,電容,最大值是1nF。VR=0V測試條件下,上升時間典型值為200納秒。在Vf=±10mV測試條件下時,每個元件的分流電阻值是100歐姆。


美國Opto diode光電二極管陣列




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