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低溫等離子體除臭設(shè)備等離子體去除污染物的基本過程

過程一：高能電子的直接轟擊
過程二：O原子或臭氧的氧化
O2+e→2O

過程三：OH自由基的氧化
H2O+e→OH+H

H2O+O→2OH

H+O2→OH+O

過程四：分子碎片+氧氣的反應(yīng)

低溫等離子體技術(shù)應(yīng)用于惡臭氣體治理，具有處理效果好，運(yùn)行費(fèi)用低廉、無二次污染、運(yùn)行穩(wěn)定、操作管理簡(jiǎn)便、即開即用等優(yōu)點(diǎn)。

①介質(zhì)阻擋放電產(chǎn)生電子能量高，低溫等離子體密度大，達(dá)到常用等離子技術(shù)（電暈放電）的多倍，幾乎可以和所有的惡臭氣體分子作用；

②技術(shù)反應(yīng)速度快，氣體通過反應(yīng)區(qū)的速度達(dá)到3-15米/秒，即達(dá)到很好的處理效果，其他技術(shù)氣體通過反應(yīng)區(qū)的速度0.01米/秒都很難達(dá)到的處理效果；

③氣體通過部分，全部采用陶瓷、石英、不銹鋼等防腐蝕材料，電極與廢氣不直接接觸，根本上解決了低溫等離子體技術(shù)設(shè)備腐蝕問題；其他技術(shù)是氣體與電極直接接觸，電極在3個(gè)月或1年內(nèi)會(huì)造成嚴(yán)重腐蝕，即使通過的氣體沒有腐蝕性，自身所產(chǎn)生的臭氧也會(huì)把電極造成腐蝕；

低溫等離子體除臭設(shè)備低溫等離子體是繼固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)之后的物質(zhì)第四態(tài)，當(dāng)外加電壓達(dá)到氣體的 放電電壓時(shí)，氣體被擊穿，產(chǎn)生包括電子、各種離子、原子和自由基在內(nèi)的混合體。放電過程中雖然電子溫度很高，但重粒子溫度很低，整個(gè)體系呈現(xiàn)低溫狀態(tài)，所以稱為低溫等離子體。低溫等離子體降解污染物是利用這些高能電子、自由基等活性粒子和廢氣中的污染物作用，使污染物分子在極短的時(shí)間內(nèi)發(fā)生分解，并發(fā)生后續(xù)的各種反應(yīng)以達(dá)到降解污染物的目的。（注：低溫等離子體相對(duì)于高溫等離子體而言，屬于常溫運(yùn)行。）