用于半導體的 Helios™ G4 PFIB Hxe DualBeam™

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產品型號Thermo Scientific

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更新時間：2023-04-02 14:17:15瀏覽次數(shù)：364次

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產品簡介

Thermo Scientific Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系統(tǒng)提供的功能，除廣泛的其他大面積 FIB 處理應用外，還能夠實現(xiàn) 10 nm 半導體器件的無損傷延遲和 3D 封裝的高級故障分析。

詳細介紹

Helios G4 PFIB HXe DualBeam 系統(tǒng)使您能夠：

使用具有高電流 UC+ 單色器技術的 Elstar™ SEM 電子鏡筒，可獲得納米級 SEM 圖像分辨率和表面靈敏度，從而顯示較為細致的細節(jié)信息。
使用新一代 2.5微安氙等離子體 FIB (PFIB 2.0) 鏡筒，可進行較高通量和質量相關 3D 表征、橫向切片和微加工。
使用自動搖擺研磨機，可實現(xiàn)高產率、無屏障大面積橫向切片制備并獲得高質量 TEM 片晶。
實現(xiàn)的低 kV 離子束性能，可提高材料靈敏度和降低樣品制備損傷。
通過可選配的 MultiChem 或 GIS 氣體輸送系統(tǒng)，可提供在 FIB-SEM 系統(tǒng)上進行電子和離子束誘導的沉積及蝕刻的較高級功能。
在常規(guī)和低 k 電介質中，采用專有的 Dx 和 DE 化學物質對銅金屬化進行逆向處理。并通過基于等離子 FIB 的化學過程和配方銑削*的包裝材料。