華科智源IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種復(fù)合了功率場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件,它同時(shí)具有MOSFET的高速開(kāi)關(guān)及電壓驅(qū)動(dòng)特性和雙極晶體管的低飽和電壓特性，易實(shí)現(xiàn)較大電流的能力，既具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好和驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，又具有通態(tài)電壓低、耐壓高和承受電流大的優(yōu)點(diǎn)。近年來(lái)IGBT成為電力電子領(lǐng)域中尤為矚目的電力電子器件，并得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。那么IGBT的測(cè)試就變的尤為重要了。

    IGBT的測(cè)試包括靜態(tài)參數(shù)測(cè)試、動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、短路測(cè)試、熱阻測(cè)試等，這些測(cè)試中zui基本的測(cè)試就數(shù)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，只有保證IGBT的靜態(tài)參數(shù)沒(méi)有問(wèn)題的情況下，才進(jìn)行像動(dòng)態(tài)參數(shù)（開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、續(xù)流二極管的反向恢復(fù)）、短路、熱阻方面進(jìn)行測(cè)試，所以這里華科智源先介紹下IGBT的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，

   要進(jìn)行IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，首先就要了解IGBT有哪些靜態(tài)參數(shù)，IGBT靜態(tài)參數(shù)有BVCES, ICES, IGES, VGE(TH), VCE(SAT), VF等。
BVCES：在柵極G和發(fā)射極E短路時(shí)，在加一定的IC下，IGBT的集電極C和發(fā)射極E之間的擊穿電壓。
ICES:在柵極G和發(fā)射極E短路時(shí)，在加一定的VCE下，IGBT的集電極C和發(fā)射極E之間的漏電流。
IGES:在集電極C和發(fā)射極E短路時(shí)，在加一定的VGE下，IGBT的柵極G和發(fā)射極E之間的漏電流。
VGE(TH):在一定的IC下，IGBT的開(kāi)啟電壓。
VCE(SAT):在柵極G和發(fā)射極之間加一定的VGE(大于VGE(TH)),一定的IC下，IGBT的集電極C和發(fā)射極E之間的飽和壓降。
VF:在一定的IE下，續(xù)流二極管的電壓降。
要判斷一個(gè)IGBT器件的好壞，就需要對(duì)以上這些參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果就要和IGBT生產(chǎn)廠(chǎng)家出的IGBT的規(guī)格書(shū)中的電氣特性這一欄里邊的范圍進(jìn)行比較，在范圍之內(nèi)就合格，否則不合格。

   那怎么才能測(cè)出IGBT這些參數(shù)的結(jié)果呢？這就需要根據(jù)器件的datasheet中的電氣特性中所給出的測(cè)試條件，用一些電壓源、電流源來(lái)滿(mǎn)足這些測(cè)試條件，并把這些條件加到IGBT的端子上，然后用電壓表、電流表來(lái)測(cè)出值來(lái)。這種測(cè)試方法有一個(gè)弊端就是效率低，測(cè)一個(gè)參數(shù)，就要手動(dòng)去接一次線(xiàn)，測(cè)六個(gè)參數(shù)就要接六次線(xiàn)，測(cè)試一個(gè)IGBT器件就要做這么多的工作，所以這種方法費(fèi)時(shí)、費(fèi)力，不推薦用這種方法。
   測(cè)試IGBT還是要用專(zhuān)業(yè)的測(cè)試設(shè)備，這里我推薦一種IGBT的測(cè)試設(shè)備，就是華科智源產(chǎn)的IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，這個(gè)測(cè)試設(shè)備能達(dá)到電壓5000V,電流1600A。測(cè)試的種類(lèi)也比較多，可以測(cè)IGBT單管，IGBT模塊，半橋模塊，全橋模塊，雙單元模塊，四單元模塊，六單元模塊，七單元模塊。針對(duì)每一個(gè)IGBT的測(cè)試，都是一次編程，終身使用，來(lái)了一個(gè)新品種的IGBT，就要對(duì)它進(jìn)行一次編程，后期都是對(duì)程序調(diào)用來(lái)使用的，使用非常的方便。編程就是對(duì)要測(cè)的參數(shù)和測(cè)試條件來(lái)編程，每一次編程都可以把以上介紹的6個(gè)參數(shù)全編進(jìn)去，然后測(cè)試，一次性把6個(gè)參數(shù)全部測(cè)試完成，也可以單步測(cè)試，還可以每次編程只編一個(gè)參數(shù)或者6個(gè)參數(shù)中其中幾個(gè)參數(shù)，非常的靈活，測(cè)試結(jié)果的保存在電腦硬盤(pán)中，不存在關(guān)機(jī)后測(cè)試數(shù)據(jù)丟失的問(wèn)題，而且機(jī)器自動(dòng)判斷器件的好壞，不需要人工判斷，滿(mǎn)足了各種使用者的各種需求。所以說(shuō)華科智源IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)這款設(shè)備功能強(qiáng)大，使用靈活方便。這個(gè)設(shè)備不僅可以用在高鐵，地鐵檢修段的牽引變流器中的IGBT檢修，在IGBT封裝廠(chǎng)，在風(fēng)力發(fā)電，在電焊機(jī)，在逆變器變頻器等領(lǐng)域都能夠發(fā)揮它的功效。

深圳市華科智源科技有限公司，致力于電力電子測(cè)試方案供應(yīng)商，主要提供電力電子相關(guān)的大功率器件測(cè)試儀、IGBT測(cè)試儀、變流器IGBT測(cè)試儀、牽引系統(tǒng)IGBT測(cè)試儀，半導(dǎo)體參數(shù)圖示儀、IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀、MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀、IPM測(cè)試儀、雪崩耐量測(cè)試儀、浪涌測(cè)試儀等功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。