目錄:上海乾拓貿(mào)易有限公司>>力士樂|REXROTH電磁閥>> HM 20-2X/100-C-K35REXROTH壓力傳感器R901342024的驅(qū)動(dòng)方式
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更新時(shí)間:2025-03-09 09:35:45瀏覽次數(shù):893評(píng)價(jià)
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加工定制 | 否 | 輸出信號(hào) | 其他 |
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制作工藝 | 其他 |
REXROTH壓力傳感器R901342024的驅(qū)動(dòng)方式
性能介紹:
由于隨著應(yīng)力的變化電場(chǎng)變化微?。ㄒ簿驼f壓
電系數(shù)比較低),所以石英逐漸被其他的壓電
較低的環(huán)境下才能夠應(yīng)用。磷酸二氫胺屬于人
造晶體,相對(duì)密度1.80,熔點(diǎn)190℃,能夠承
晶體所替代。而酒石酸鉀鈉具有很大的壓電靈
敏度和壓電系數(shù),但是它只能在室溫和濕度比
受高溫和相當(dāng)高的濕度,在空氣中穩(wěn)定。
技術(shù)參數(shù):
精度等級(jí) 1)
%
<0.5
溫度系數(shù)
生命周期
6000萬個(gè)負(fù)載循環(huán)或60000小時(shí)
重量
米
公斤
0.06
根據(jù)DIN EN 60068-2-27允許的沖擊和振動(dòng)負(fù)載
15 g / 11 ms / 3軸
零點(diǎn)和范圍
<0.1%/ 10 K
磁滯 2)
%
<0.15
參考條件下的漂移(1年)
%
<0.1
功能說明:
它是一種在硅芯片的一面沉積柵電結(jié)構(gòu)的器
件。柵電和長(zhǎng)度傳感器硅芯片間有一層約為
荷載流子,并被收集和存儲(chǔ)在硅芯片的勢(shì)阱中
。勢(shì)阱是當(dāng)在柵電上加正電壓時(shí),在電場(chǎng)的
0.1~0.12微米厚的SiO2透明絕緣層,形成電
容陣列。由于柵電可以透光,硅芯片是一種
光敏材料,當(dāng)光照射在其上時(shí),在內(nèi)部產(chǎn)生電
作用下,與電相鄰的硅芯片表面的正電荷被
推離后形成的一個(gè)耗盡層。
線性誤差:
這是一個(gè)對(duì)力士樂壓力傳感器初始誤差影響較
非線性,但對(duì)于帶放大器的傳感器,還應(yīng)包括
小的因素,該誤差的產(chǎn)生原因在于硅片的物理
放大器的非線性。線性誤差曲線可以是凹形曲
線,也可以是凸形曲線稱重傳感器。
REXROTH壓力傳感器R901342024的驅(qū)動(dòng)方式
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