一、主要技術(shù)特點(diǎn)　　1、功能全面，既滿(mǎn)足各類(lèi)CT（如：保護(hù)類(lèi)、計(jì)量類(lèi)、TP類(lèi)）的勵(lì)磁特性（即伏安特性）、變比、極性、二次繞組電阻、二次負(fù)荷、比差以及角差等測(cè)試要求，又可用于各類(lèi)PT電磁單元的勵(lì)磁特性、變比、極性、二次繞組電阻等測(cè)試

詳細(xì)介紹

一、主要技術(shù)特點(diǎn)

　　1、功能全面，既滿(mǎn)足各類(lèi)CT（如：保護(hù)類(lèi)、計(jì)量類(lèi)、TP類(lèi)）的勵(lì)磁特性（即伏安特性）、變比、極性、二次繞組電阻、二次負(fù)荷、比差以及角差等測(cè)試要求，又可用于各類(lèi)PT電磁單元的勵(lì)磁特性、變比、極性、二次繞組電阻等測(cè)試。

　　2、自動(dòng)給出拐點(diǎn)電壓/電流、10%（5%）誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)（ALF）、儀表保安系數(shù)（FS）、二次時(shí)間常數(shù)（Ts）、剩磁系數(shù)（Kr）、飽和電感等CT、PT參數(shù)。

　　3、測(cè)試滿(mǎn)足GB1208（IEC60044-1）、GB16847（IEC60044-6）、GB1207等各類(lèi)互感器標(biāo)準(zhǔn)，并依照互感器類(lèi)型和級(jí)別自動(dòng)選擇何種標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試。

　　4、基于的低頻法測(cè)試原理，能應(yīng)對(duì)拐點(diǎn)高達(dá)30KV的CT測(cè)試。

　　5、裝置采用國(guó)際流行方波法，讓勵(lì)磁曲線更加。

　　6、裝置存儲(chǔ)容量高達(dá)幾G，可存儲(chǔ)幾十萬(wàn)組測(cè)試數(shù)據(jù)，掉電不丟失。試驗(yàn)完畢后直接生成Excel報(bào)告。

　　7、測(cè)試簡(jiǎn)單方便，一鍵完成CT直阻、勵(lì)磁、變比和極性測(cè)試，而且除了負(fù)荷測(cè)試外，CT其他各項(xiàng)測(cè)試都是采用同一種接線方式。

　　8、易于攜帶，裝置含配線全重量大約8Kg。

二、主要技術(shù)參數(shù)

		HMFAT-500P
測(cè)試用途		CT， PT
輸出		0~180Vrms，12Arms，36A（峰值）
電壓測(cè)量精度		±0.1%
CT變比測(cè)量	范圍	1~40000
	精度	±0.1%
PT變比測(cè)量	范圍	1~40000
	精度	±0.1%
相位測(cè)量	精度	±2min
	分辨率	0.5min
二次繞組電阻測(cè)量	范圍	0~300Ω
	精度	0.2%±2mΩ
交流負(fù)載測(cè)量	范圍	0~1000VA
	精度	0.2%±0.02VA
輸入電源電壓		AC220V±10%，50Hz
工作環(huán)境		溫度：-10οC~50οC，濕度：≤90%
尺寸、重量		尺寸367 mm×292 mm×150mm 重量<8kg