當前位置：天津瑞利光電科技有限公司>>太赫茲產(chǎn)品>>太赫茲晶體>>EKSMA硒化鎵(GaSe)晶體GaSe-10H1

EKSMA硒化鎵(GaSe)晶體GaSe-10H1

返回列表頁

參考價

面議

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號GaSe-10H1

品牌

廠商性質(zhì)0

所在地

在線詢價收藏產(chǎn)品查看聯(lián)系電話

聯(lián)系方式：瑞麗查看聯(lián)系方式

更新時間：2024-05-10 08:16:56瀏覽次數(shù)：175次

聯(lián)系我時，請告知來自環(huán)保在線

產(chǎn)品分類 品牌分類

  太赫茲產(chǎn)品

太赫茲功率計

太赫茲源

太赫茲光學元件

太赫茲相機

太赫茲探測器

太赫茲光譜儀

太赫茲晶體

全部產(chǎn)品列表

暫無信息

天津瑞利光電科技有限公司

經(jīng)營模式：

商鋪產(chǎn)品：1081條

所在地區(qū)：

聯(lián)系人：瑞麗（經(jīng)理）

詢價 給他留言

產(chǎn)品簡介

產(chǎn)品介紹用于產(chǎn)生太赫茲THz的GaSe（硒化鎵）晶體顯示出高達41THz的大帶寬

詳細介紹

產(chǎn)品介紹

用于產(chǎn)生太赫茲THz的GaSe（硒化鎵）晶體顯示出高達41 THz的大帶寬。GaSe是負單軸層狀半導體，具有62 m點組的六邊形結(jié)構(gòu)，在300 K時的直接帶隙為2.2eV。GaSe晶體具有高損傷閾值，較大的非線性光學系數(shù)（54 pm / V），合適的透明范圍和低吸收系數(shù)，這使其成為寬帶中紅外電磁波產(chǎn)生的替代解決方案。由于使用低于20 fs的激光源產(chǎn)生和檢測寬帶太赫茲，因此與使用薄的ZnTe晶體相比，GaSe發(fā)射器-探測器系統(tǒng)的性能可達到相當甚至更好的結(jié)果。為了實現(xiàn)頻率選擇性太赫茲波的產(chǎn)生和檢測系統(tǒng)，應使用適當厚度的GaSe晶體。

產(chǎn)品參數(shù)

GaSe晶體

Z切割，開裂，未鍍膜

尺寸：直徑7 mm

厚度：0.01 mm

由于材料結(jié)構(gòu)的原因，可能僅沿（001）平面切割GaSe晶體

其他推薦產(chǎn)品更多>>