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X射線探測(cè)器

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探測(cè)器以熱電冷卻的Si-Pin光電二極管作為X射線探測(cè)元器件，根據(jù)不同探測(cè)器類型和峰化時(shí)間，55Fe的5.9KeV峰值分辨率可達(dá)145eV;FASTSDD探測(cè)器峰值分辨率更可達(dá)122eV

詳細(xì)介紹

探測(cè)器以熱電冷卻的Si-Pin光電二極管作為X射線探測(cè)元器件，根據(jù)不同探測(cè)器類型和峰化時(shí)間，55Fe的5.9KeV峰值分辨率可達(dá)145eV; FAST SDD 探測(cè)器峰值分辨率更可達(dá)122eV。

XR-100系列探測(cè)器型號(hào)	探測(cè)器材料	探測(cè)器面積	探測(cè)器厚度	鈹(Be)窗厚度	備注
XY-FSG32MD-G3SP	Si-PIN	6 mm²	500 μm	1 mil	有內(nèi)置準(zhǔn)直器
XY-FS432MD-G3SP	Si-PIN	13mm²	500 μm	1 mil	有內(nèi)置準(zhǔn)直器
XY-FSJ32MD-G3SP	Si-PIN	25mm²	500 μm	1 mil	有內(nèi)置準(zhǔn)直器
XY-FSG32MD-G2SP	Si-PIN	6mm²	500 μm	0.5mil	有內(nèi)置準(zhǔn)直器
XY-GSH3AMD-G2SP	SDD	25mm²	500 μm	0.5mil	有內(nèi)置準(zhǔn)直器
XY-GSH3AMD-E1SP	SDD	25mm²	500 μm	0.3mil	有內(nèi)置準(zhǔn)直器
XY-GSH3AMD-UOEA	SDD	25mm²	500 μm	C1 Window	有內(nèi)置準(zhǔn)直器
XY-GSH3AMD-E6EA	SDD	25mm²	500 μm	C2 Window	有內(nèi)置準(zhǔn)直器
XY-HSH3AMD-G2S	FAST SDD	25mm²	500 μm	0.5mil	有內(nèi)置準(zhǔn)直器
XY-HSH3AMD-G1S	FAST SDD	25mm²	500 μm	0.3mil	有內(nèi)置準(zhǔn)直器
XY-HSH3AMD-U0EA	FAST SDD	25mm²	500 μm	C1 Window	有內(nèi)置準(zhǔn)直器
XY-HSH3AMD-E6EA	FAST SDD	25mm²	500 μm	C2 Window	有內(nèi)置準(zhǔn)直器

** Silicon Drift Detector (SDD) uses a junction gate field-effect transistor (JFET) inside the hermetically sealed TO-8 package, along with an external preamplifier. FAST SDD uses a complementary metal-oxide-semiconductor () preamplifier inside the TO-8 package, and replaces the JFET with a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET).