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西安長禾半導體技術有限公司


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功率半導體器件的動、靜態(tài)參數(shù)檢測

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參   考   價: 1888

訂  貨  量: ≥1  件

具體成交價以合同協(xié)議為準

產品型號長禾

品       牌其他品牌

廠商性質生產商

所  在  地西安市

聯(lián)系方式:胡女士查看聯(lián)系方式

更新時間:2020-08-26 20:03:22瀏覽次數(shù):507次

聯(lián)系我時,請告知來自 環(huán)保在線

經(jīng)營模式:生產廠家

商鋪產品:5條

所在地區(qū):陜西西安市

聯(lián)系人:胡女士 (銷售)

產品簡介
測量范圍 半導體器件電參數(shù) 外形尺寸 1800X1800X800mm
重量 358kg    

西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市*經(jīng)濟開發(fā)區(qū),是一家專業(yè)從事功率半導體器件測試服務的*,是國家CNAS 認可實驗室,屬于國家大功率器件測試服務中心。

詳細介紹

檢測項目

覆蓋產品

檢測能力

參考標準

功率循環(huán)試驗(PC)

IGBT模塊

ΔTj=100℃ 電壓電流大1800A 12V

IEC 客戶自定義

高溫反偏試驗(HTRB)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導體器件等單管器件

溫度150℃; 電壓2000V

美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

高溫門極試驗(HTGB)

MOSFET、SiC MOS等單管器件

溫度150℃; 電壓2000V

美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

高溫工作壽命試驗(HTOL)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件

溫度150℃ 電壓2000V

美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

低溫工作壽命試驗(LTOL)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件

溫度-80℃ 電壓2000V

美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

高溫儲存試驗(HTSL)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品

溫度150℃;

美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

低溫儲存試驗(LTSL)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品

溫度-80℃

美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

高溫高濕試驗(THB)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品

溫度180℃ 濕度范圍:10%~98%

美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

高低溫循環(huán)試驗(TC)

MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品

溫度范圍:-80℃~220℃

美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

間歇壽命試驗(IOL)功率循環(huán)試驗(PC)

MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件

ΔTj≧100℃ 電壓電流48V,10A

美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

穩(wěn)態(tài)功率試驗(SSOL)

MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件

ΔTj≧100℃ 電壓電流48V,10A

美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

高加速應力試驗(HAST)

MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品

溫度130℃/110℃ 濕度85%

美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

*無偏壓的高加速應力試驗(UHAST)

MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品

溫度130℃ 濕度85%

美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

高溫蒸煮試驗(PCT)

MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品

溫度121℃ 濕度

美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

預處理試驗(Pre-con)

所有SMD類型器件

設備滿足各個等級的試驗要求

美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

潮氣敏感度等級試驗(MSL)

所有SMD類型器件

設備滿足各個等級的試驗要求

美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

*可焊性試驗(Solderability)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件

有鉛、無鉛均可進行

美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市*經(jīng)濟開發(fā)區(qū),是一家專業(yè)從事功率半導體器件測試服務的*,是國家CNAS 認可實驗室,屬于國家大功率器件測試服務中心。

長禾實驗室擁有的系統(tǒng)設備、專業(yè)的技術團隊和完善的服務體系。實驗室現(xiàn)有*的測試儀器設備100余臺套,專業(yè)測試人員20余名。我們緊跟國內標準,以客戶需求為導向,不斷創(chuàng)新服務項目和檢測技術,借助便利的服務網(wǎng)絡,為合作伙伴提供優(yōu)質高效的技術服務。

長禾實驗室專注于功率半導體器件的動、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗、熱阻測試等領域的技術服務。業(yè)務范圍主要涉及國內軌道交通、風力發(fā)電、科研單位、院所、工業(yè)控制、兵器船舶、航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導體(寬禁帶半導體)應用解決方案服務商。

長禾實驗室秉承創(chuàng)新務實的經(jīng)營理念,為客戶提供優(yōu)質的服務、完善的解決方案及;同時注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流,測試技術與服務水平不斷提升。

誠信立世,感恩回饋,歡迎選擇長禾實驗室做您忠誠的合作伙伴,共謀發(fā)展大計!

 

關鍵詞:新能源
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