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武漢普賽斯儀表有限公司


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PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

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產(chǎn)品型號(hào)

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地

聯(lián)系方式:陶女士查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間:2022-07-05 16:47:56瀏覽次數(shù):308次

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經(jīng)營(yíng)模式:生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品:40條

所在地區(qū):湖北武漢市

聯(lián)系人:陶女士 (銷售專員)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA

詳細(xì)介紹

       功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級(jí)電阻,p電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。

       普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測(cè)單元等測(cè)試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于高校研究所、實(shí)驗(yàn)室,新能源,光伏,風(fēng)電,軌交,變頻器等場(chǎng)景。

4.jpg

功率器件:

?二極管

?三極管

?MOS管

?IGBT

?SIC

?GaN


?高電壓:支持高達(dá)3KV高電壓測(cè)試;

?大電流:支持高達(dá)4KA大電流測(cè)試;

?高精度:支持uΩ級(jí)電阻、p電流、uV級(jí)精準(zhǔn)測(cè)量;

?豐富模板:內(nèi)置豐富的測(cè)試模板,方便用戶快速配置測(cè)試參數(shù);

?配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能;

?數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;

?模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可自由配置,方便維護(hù);

?可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度;

?可定制開發(fā):可根據(jù)用戶測(cè)試場(chǎng)景定制化開發(fā);









PMST系統(tǒng)配置

關(guān)鍵參數(shù)

備注

P系列
脈沖源表

PW高達(dá)30V/10A、300V/1A

柵極特性測(cè)試

CW高達(dá)300V/0.1A、30V/1A

最小脈沖寬度200uS

HCP系列
大電流脈沖源表

PW高達(dá)30V/100A

IGBT導(dǎo)通壓降、二極管瞬時(shí)前向電壓測(cè)試

CW高達(dá)10V/30A

最小分辨率30uV/10pA

最小脈沖寬度80uS

HCPL系列
高電流脈沖電流源

單臺(tái)PW高達(dá)12V/1000A,可多臺(tái)并聯(lián)

最小脈沖寬度50uS

E系列
高電壓源測(cè)單元

CW高達(dá)3000V/100mA

IGBT擊穿電壓測(cè)試

最小分辨率10mV/100pA

測(cè)量精度 0.1%

電橋

頻率范圍:20Hz~1MHz

IGBT各級(jí)間電容測(cè)試

HVP系列提供0~400V直流偏置電壓

S系列提供0~30V直流偏置電壓

預(yù)置偏置電阻100kΩ

矩陣開關(guān)

/

電路切換及源表切換

主機(jī)

/


測(cè)試夾具

根據(jù)器件封裝形式定制



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