美國(guó)Sinton WCT-120少子壽命測(cè)試儀器采用了*的測(cè)量和分析技術(shù)，包括類(lèi)似平穩(wěn)狀態(tài)photoconductance (QSSPC)測(cè)量方法?？伸`敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。WCT一個(gè)高度被看待的研究和過(guò)程工具。QSSPC終身測(cè)量也產(chǎn)生含蓄的打開(kāi)電路電壓(對(duì)照明)曲線(xiàn)，I-V曲線(xiàn)是可比較的在一個(gè)太陽(yáng)能電池過(guò)程的每個(gè)階段。

美國(guó)Sinton WCT-120少子壽命測(cè)試儀器采用了*的測(cè)量和分析技術(shù)，包括準(zhǔn)穩(wěn)定態(tài)光電導(dǎo)(QSSPC)測(cè)量方法?？伸`敏地反映單、多晶硅片的重金屬污染及陷阱效應(yīng),表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。WCT在大于20%的超高效率太陽(yáng)能電池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中是一種被廣泛選用的*檢測(cè)工具。這種QSSPC測(cè)量少子壽命的方法可以在電池生產(chǎn)的中間任意階段得到一個(gè)類(lèi)似光照IV曲線(xiàn)的開(kāi)路電壓曲線(xiàn)，可以結(jié)合IV曲線(xiàn)對(duì)電池制作過(guò)程進(jìn)行數(shù)據(jù)監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。
 

主要應(yīng)用：分布監(jiān)控和優(yōu)化制造工藝
 

其它應(yīng)用：

· 檢測(cè)原始硅片的性能 

· 測(cè)試過(guò)程硅片的重金屬污染狀況 

· 評(píng)價(jià)表面鈍化和發(fā)射極擴(kuò)散摻雜的好壞 

· 用得到的類(lèi)似IV的開(kāi)壓曲線(xiàn)來(lái)評(píng)價(jià)生產(chǎn)過(guò)程中由生產(chǎn)環(huán)節(jié)造成的漏電。 

主要特點(diǎn)：

· 只要輕輕一點(diǎn)就能實(shí)現(xiàn)硅片的關(guān)鍵性能測(cè)試，包括表面電阻，少子壽命，陷阱密度，發(fā)射極飽和電流密度和隱含電壓。

 硅片少子壽命測(cè)試系統(tǒng) wct-120