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目錄:盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司>>集成電路>> PECVD設(shè)備

PECVD設(shè)備
  • PECVD設(shè)備
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具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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更新時間:2023-08-12 07:34:49瀏覽次數(shù):2267評價

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盛美上海的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備可應(yīng)用于SiO2, SiNx, Carbon,NDC薄膜沉積工藝, 未來可以擴(kuò)展至單片式PEALD薄膜沉積工藝進(jìn)行平臺化擴(kuò)展。

PECVD設(shè)備

  

主要優(yōu)勢

配置了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的腔體設(shè)計和單腔體多加熱盤布局

配置了特殊的氣體分配裝置和卡盤設(shè)計

針對薄膜疊層的變換可以提供更好的薄膜均勻性,更優(yōu)的薄膜應(yīng)力和更少的顆粒特性

兼顧高產(chǎn)能要求每個腔體都安裝有多個加熱盤

靈活配置腔體數(shù)量兼顧不同產(chǎn)能要求

自主開發(fā)的控制軟件能夠靈活配置滿足相應(yīng)需求

設(shè)計的真空機(jī)械手臂匹配腔體多加熱盤晶圓存取規(guī)則

工藝溫度兼容200C到650C的各種PECVD沉積薄膜要求


特性和規(guī)格

可適用于300mm晶圓各種薄膜沉積需求

該設(shè)備采用單腔體模塊化設(shè)計,有兩種配置:
    一種是可配置一至三腔體模塊,適用于沉積比較薄的薄膜兼顧產(chǎn)能大小
    一種是可配置四至五腔體模塊,適用于沉積比較厚的薄膜兼容長臂真空機(jī)械手臂

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