EM12是采用量拓科技測量技術(shù)，針對中端精度需求的研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的精致型多入射角激光橢偏儀。
EM12可在單入射角度或多入射角度下對樣品進(jìn)行準(zhǔn)確測量。可用于測量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k；也可用于同時(shí)測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；亦可用于實(shí)時(shí)測量納米薄膜動(dòng)態(tài)生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了納米薄膜的相對厚度測量。
EM12采用了量拓科技多項(xiàng)技術(shù)。
特點(diǎn)：
次納米量的高靈敏度
采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測量極薄納米薄膜，膜厚精度可達(dá)到0.2nm。
1.6秒的快速測量
水準(zhǔn)的儀器設(shè)計(jì)，在保證精度和準(zhǔn)確度的同時(shí)，可在1.6秒內(nèi)快速完成一次測量，可對納米膜層生長過程進(jìn)行測量。
簡單方便的儀器操作
用戶只需一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的材料測量和分析過程，數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進(jìn)行高測量設(shè)置。
應(yīng)用：
EM12適合于中端精度要求的科研和工業(yè)環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。
EM12可用于測量單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k；可用于同時(shí)測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；可用于實(shí)時(shí)測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。
EM12可應(yīng)用的納米薄膜領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等?？蓱?yīng)用的塊狀材料領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。
技術(shù)指標(biāo):
| 項(xiàng)目 | 技術(shù)指標(biāo) |
| 儀器型號 | EM12 |
| 激光波長 | 632.8nm (He-Ne Laser) |
| 膜厚測量重復(fù)性（1） | 0.2nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 折射率測量重復(fù)性（1） | 2x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 單次測量時(shí)間 | 與測量設(shè)置相關(guān)，典型1.6s |
| 大的膜層范圍 | 透明薄膜可達(dá)4000nm 吸收薄膜則與材料性質(zhì)相關(guān) |
| 光學(xué)結(jié)構(gòu) | PSCA（Δ在0°或180°附近時(shí)也具有的準(zhǔn)確度） |
| 激光光束直徑 | 1-2mm |
| 入射角度 | 40°-90°可手動(dòng)調(diào)節(jié)，步進(jìn)5° |
| 樣品方位調(diào)整 | Z軸高度調(diào)節(jié)：±6.5mm 二維俯仰調(diào)節(jié)：±4° 樣品對準(zhǔn)：光學(xué)自準(zhǔn)直和顯微對準(zhǔn)系統(tǒng) |
| 樣品臺尺寸 | 平面樣品直徑可達(dá)Φ170mm |
| 大外形尺寸 | 887 x 332 x 552mm (入射角為90º時(shí)) |
| 儀器重量（凈重） | 25Kg |
| 選配件 | 水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺 真空吸附泵 |
| 軟件 | ETEM軟件： l 中英文界面可選； l 多個(gè)預(yù)設(shè)項(xiàng)目供快捷操作使用； l 單角度測量/多角度測量操作和數(shù)據(jù)擬合； l 方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出 l 豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫支持 |
注：(1)測量重復(fù)性：是指對標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn)、同一條件下連續(xù)測量25次所計(jì)算的標(biāo)準(zhǔn)差。
性能保證:
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