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EM12精致型多入射角激光橢偏儀

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產(chǎn)品型號EM12

品       牌

廠商性質其他

所  在  地

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更新時間:2023-03-11 17:28:45瀏覽次數(shù):289次

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產(chǎn)品簡介

EM12是采用量拓科技測量技術,針對中端精度需求的研發(fā)和質量控制領域推出的精致型多入射角激光橢偏儀

詳細介紹

EM12是采用量拓科技測量技術,針對中端精度需求的研發(fā)和質量控制領域推出的精致型多入射角激光橢偏儀。

EM12可在單入射角度或多入射角度下對樣品進行準確測量??捎糜跍y量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k;也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k;亦可用于實時測量納米薄膜動態(tài)生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設計實現(xiàn)了納米薄膜的相對厚度測量。

    EM12采用了量拓科技多項技術。

特點:

次納米量的高靈敏度

采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質量的制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量極薄納米薄膜,膜厚精度可達到0.2nm。

1.6秒的快速測量

水準的儀器設計,在保證精度和準確度的同時,可在1.6秒內快速完成一次測量,可對納米膜層生長過程進行測量。

簡單方便的儀器操作

用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程,數(shù)據(jù)一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高測量設置。

應用:

EM12適合于中端精度要求的科研和工業(yè)環(huán)境中的新品研發(fā)或質量控制。

EM12可用于測量單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k;可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k;可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。

EM12可應用的納米薄膜領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等??蓱玫膲K狀材料領域包括:固體(金屬、半導體、介質等),或液體(純凈物或混合物)。

技術指標:

項目

技術指標

儀器型號

EM12

激光波長

632.8nm (He-Ne Laser)

膜厚測量重復性(1)

0.2nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)

折射率測量重復性(1)

2x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)

單次測量時間

與測量設置相關,典型1.6s

大的膜層范圍

透明薄膜可達4000nm

吸收薄膜則與材料性質相關

光學結構

PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有的準確度)

激光光束直徑

1-2mm

入射角度

40°-90°可手動調節(jié),步進5°

樣品方位調整

Z軸高度調節(jié):±6.5mm

二維俯仰調節(jié):±4°

樣品對準:光學自準直和顯微對準系統(tǒng)

樣品臺尺寸

平面樣品直徑可達Φ170mm

大外形尺寸

887 x 332 x 552mm (入射角為90º時)

儀器重量(凈重)

25Kg

選配件

水平XY軸調節(jié)平移臺

真空吸附泵

軟件

ETEM軟件:

l 中英文界面可選;

l 多個預設項目供快捷操作使用;

l 單角度測量/多角度測量操作和數(shù)據(jù)擬合;

l 方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出

l 豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫支持

注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量25次所計算的標準差。

 

性能保證:

  • 穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、采樣方法,保證了高穩(wěn)定性和高準確度
  • 高精度的光學自準直系統(tǒng),保證了快速、高精度的樣品方位對準
  • 穩(wěn)定的結構設計、可靠的樣品方位對準,結合采樣技術,保證了快速、穩(wěn)定測量
  • 分立式的多入射角選擇,可應用于復雜樣品的折射率和相對厚度的測量
  • 一體化集成式的儀器結構設計,使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高,并節(jié)省空間
  • 一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫,方便用戶使用  
  • 可選配件:

    NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片

    NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片

    VP01真空吸附泵

    VP02真空吸附泵

    樣品池

關鍵詞:橢偏儀 電池

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