特別聲明：
EM01-RD多入射角激光橢偏儀（研發(fā)）已升至EMPro31 型多入射角激光橢偏儀，主要升內(nèi)容包括：
單次測(cè)量速度提高3倍;
新的儀器外形;
整體穩(wěn)定性增強(qiáng).
納米薄膜研發(fā)領(lǐng)域的多入射角激光橢偏儀，用于納米薄膜的厚度、折射率n、消光系數(shù)k等參數(shù)的測(cè)量。適用于光面或絨面納米薄膜測(cè)量、塊狀固體參數(shù)測(cè)量、快速變化的納米薄膜實(shí)時(shí)測(cè)量等不同的應(yīng)用場(chǎng)合。采用量拓科技多項(xiàng)技術(shù)，儀器操作具有個(gè)性化定制功能，方便使用。
特點(diǎn)：
高精度、高穩(wěn)定性
一體化集成設(shè)計(jì)
快速、高精度樣品方位對(duì)準(zhǔn)
多入射角度測(cè)量
快速反應(yīng)過(guò)程的實(shí)時(shí)測(cè)量
操作簡(jiǎn)單
豐富的材料庫(kù)及物理模型
強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析和管理
應(yīng)用領(lǐng)域：
可對(duì)納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k進(jìn)行快速、高精度、高準(zhǔn)確度的測(cè)量，尤其適合于科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)
可用于表征單層納米薄膜、多層納米層構(gòu)膜系，以及塊狀材料（基底）。
應(yīng)用領(lǐng)域涉及納米薄膜的幾乎領(lǐng)域，如微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽(yáng)電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲(chǔ)、聚合物及金屬表面處理等。
性能保證：
高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、高精度的采樣方法以及低噪聲探測(cè)技術(shù)，保證了系統(tǒng)的高穩(wěn)定性和高準(zhǔn)確度
.高精度的光學(xué)自準(zhǔn)直望遠(yuǎn)系統(tǒng)，保證了快速、高精度的樣品方位對(duì)準(zhǔn)
穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、可靠的樣品方位對(duì)準(zhǔn)，結(jié)合采樣技術(shù)，保證了快速、穩(wěn)定測(cè)量
分立式的多入射角選擇，可應(yīng)用于復(fù)雜樣品的折射率和相對(duì)厚度的測(cè)量
一體化集成式的儀器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得系統(tǒng)操作簡(jiǎn)單、整體穩(wěn)定性提高，并節(jié)省空間
軟件方便納米薄膜樣品的測(cè)試和建模。
技術(shù)指標(biāo)：
| 激光波長(zhǎng) | 632.8nm (He-Ne laser) |
| 膜厚測(cè)量重復(fù)性 | 0.01nm (對(duì)于Si基底上110nm的SiO2膜層) |
| 折射率精度 | 1x10-4 (對(duì)于Si基底上110nm的SiO2膜層) |
| 光學(xué)結(jié)構(gòu) | PSCA |
| 激光光束直徑 | <1mm |
| 入射角度 | 40°-90°可選，步進(jìn)5° |
| 樣品方位調(diào)整 | 三維平移調(diào)節(jié) 二維俯仰調(diào)節(jié) 光學(xué)自準(zhǔn)直系統(tǒng)對(duì)準(zhǔn) |
| 樣品臺(tái)尺寸 | Φ170mm |
| 單次測(cè)量時(shí)間 | 0.2s |
| 推薦測(cè)量范圍 | 0-6000nm |
| 大外形尺寸(長(zhǎng)x寬x高) | 887 x 332 x 552mm (入射角為70º時(shí)) |
| 儀器重量（凈重） | 25Kg |
可選配件：
NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標(biāo)片
NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標(biāo)片
VP01真空吸附泵
VP02真空吸附泵
樣品池
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