EM13LD 系列是采用量拓科技的測量技術(shù)，針對普通精度需求的研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的多入射角激光橢偏儀。
EM13LD系列采用半導體激光器作為光源，可在單入射角度或多入射角度下對樣品進行準確測量?？捎糜跍y量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k；也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；亦可用于實時測量納米薄膜動態(tài)生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設(shè)計實現(xiàn)了納米薄膜的相對厚度測量。
EM13LD系列采用了量拓科技多項技術(shù)。
特點：
次納米的高靈敏度
采樣方法、穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量極薄納米薄膜，膜厚精度可達到0.5nm。
3秒的快速測量
水準的儀器設(shè)計，在保證精度和準確度的同時，可在3秒內(nèi)快速完成一次測量，可對納米膜層生長過程進行測量。
簡單方便的儀器操作
用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程，數(shù)據(jù)一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高測量設(shè)置。
應(yīng)用：
EM13LD系列適合于普通精度要求的科研和工業(yè)環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。
EM13LD系列可用于測量單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k；可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。
EM13LD可應(yīng)用的納米薄膜領(lǐng)域包括：微電子、半導體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應(yīng)用的塊狀材料領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。
技術(shù)指標:
| 項目 | 技術(shù)指標 |
| 儀器型號 | EM13 LD/635 (或其它選定波長) |
| 激光波長 | 635 nm (或其它選定波長，高穩(wěn)定半導體激光器) |
| 膜厚測量重復性（1） | 0.5nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 折射率測量重復性（1） | 5x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 單次測量時間 | 與測量設(shè)置相關(guān)，典型3s |
| 大的膜層范圍 | 透明薄膜可達1000nm 吸收薄膜則與材料性質(zhì)相關(guān) |
| 光學結(jié)構(gòu) | PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有的準確度） |
| 激光光束直徑 | 2mm |
| 入射角度 | 40°-90°可手動調(diào)節(jié)，步進5° |
| 樣品方位調(diào)整 | Z軸高度調(diào)節(jié)：±6.5mm 二維俯仰調(diào)節(jié)：±4° 樣品對準：光學自準直和顯微對準系統(tǒng) |
| 樣品臺尺寸 | 平面樣品直徑可達Φ170mm |
| 大外形尺寸 | 887 x 332 x 552mm (入射角為90º時) |
| 儀器重量（凈重） | 25Kg |
| 選配件 | 水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺，真空吸附泵 |
| 軟件(ETEM) | * 中英文界面可選 * 多個預(yù)設(shè)項目供快捷操作使用 * 單角度測量/多角度測量操作和數(shù)據(jù)擬合 * 方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出 * 豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫支持 |
注：(1)測量重復性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量30次所計算的標準差。
性能保證:
穩(wěn)定性的半導體激光光源、采樣方法，保證了穩(wěn)定性和準確度
高精度的光學自準直系統(tǒng)，保證了快速、高精度的樣品方位對準
穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計、可靠的樣品方位對準，結(jié)合采樣技術(shù)，保證了快速、穩(wěn)定測量
分立式的多入射角選擇，可應(yīng)用于復雜樣品的折射率和相對厚度的測量
一體化集成式的儀器結(jié)構(gòu)設(shè)計，使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高，并節(jié)省空間
一鍵式軟件設(shè)計以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫，方便用戶使用
可選配件：
NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
VP01真空吸附泵
VP02真空吸附泵
樣品池
