上海巨納科技有限公司
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Our TiSe2 crystals are stabilized in 2H-phase （CDW metallic phase）.
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：工業(yè)級(jí)石墨烯 Industrial-Quality Graphene制備方法：熱剝離還原厚度（nm）：≤3BET比表面積（平方米/克）：~ 600電阻...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：氮摻雜石墨烯粉末 Nitrogen-doped Graphene PowderBET比表面積（平方米/克）：500 ~ 700電導(dǎo)率（S/m）gt; ...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：?jiǎn)螌友趸℉法/進(jìn)口） Single Layer Graphene Oxide （H Method）制備方法：改良的H法直徑：1~5um厚度：0...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：氧化石墨烯（S法/進(jìn)口） Graphene Oxide （S Method）制備方法：斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末直徑：1~5um厚度：0.8~1...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：氧化石墨烯（S法/進(jìn)口） Graphene Oxide （S Method）制備方法：斯托登梅爾方法外觀為灰綠色粉末直徑：1~5um厚度：0.8~1....
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：硫化鎵晶體 GaS（Gallium Sulfide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = 0.360, b = 0.6...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：硫化鍺晶體 GeS（Germanium Sulfide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系晶胞參數(shù)：a = 1.450, b = ...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at ou...
產(chǎn)品型號(hào)：2D Semiconductor所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硫化鉿晶體 HfS2 （Hafnium Disulfide）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.363...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硫化鉬晶體（天然） MoS2（Molybdenum Disulfide）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形類型：天然晶體尺寸：~10mm-20mm純度：gt;99%屬...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Carboxyl （-COOH） functionalized graphene has been developed at our faciliti...
產(chǎn)品型號(hào)：2D Semiconductor所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-12 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硫化鉬晶體（2H-合成/99.995%/n 型） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn晶體尺寸:~10毫米電學(xué)性能：N型半導(dǎo)...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride rat...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硫化鉬晶體（2H-合成/99.995%/p 型） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn晶體尺寸:~10毫米電學(xué)性能：P型半導(dǎo)...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfol...
產(chǎn)品型號(hào)：2D Semiconductor所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：大尺寸二硫化鉬晶體（天然/99.9%） MoS2（Molybdenum Disulfide）晶體尺寸：~10毫米- 15毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硫化鎢鉬晶體 MoWS2（Molybdenum Tungsten Disulfide alloy）晶體尺寸：~6毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：制備方法：層間催化裂解法厚度：1~5nm直徑：~5um比表面積：90-130 m2/g外觀：黑色粉末制備方法：層間催化裂解法 厚度：1~5nm直徑：~...
產(chǎn)品型號(hào)：ACSMaterial所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硫化鈮晶體 3R-NbS2（Niobium Disulfide）晶體尺寸：4毫米電學(xué)性能：金屬晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.330 ...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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