上海巨納科技有限公司
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硫化鉛錫晶體 PbSnS2（Lead Tin Disulfide）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形類型：天然晶體尺寸：~8mm純度：gt;99.995%屬性：半導(dǎo)體
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：制備方法：層間催化裂解法厚度：~2nm直徑：5~10um純度：98%含氧量：1.44%電導(dǎo)率：~2597 s/cm
產(chǎn)品型號(hào)：ACSMaterial所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硫化錸晶體 ReS2 （Rhenium Disulfide）晶體結(jié)構(gòu)：三斜晶晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：N型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：三斜晶系晶胞參數(shù)：a =...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Carboxyl （-COOH） functionalized graphene has been developed at our faciliti...
產(chǎn)品型號(hào)：2D Semiconductor所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硫化錫晶體 2H-SnS2（Tin Sulfide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體（~ 2.2ev）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硫化鉭晶體（1T） TaS2（Tantalum Sulfide） -1T晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，電荷密度波（CDW），Mott相晶體結(jié)構(gòu)...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硫化鉭晶體（2H） TaS2（Tantalum Sulfide） -2H晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：Metal, Charge density w...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at ou...
產(chǎn)品型號(hào)：2D Semiconductor所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硫化鈦晶體 TiS2（Tantalum Sulfide） 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸:~10毫米電學(xué)性能：半金屬，逆磁性晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a ...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride rat...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfol...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硫化鎢晶體 2H-WS2（Tungsten Disulfide）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：N型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Rhenium atoms perfectly incorporated into MoS? matrix.
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：硫鹽礦物晶體 Pb3Sn4FeSb2S14（Lead Tin Ferrum Antimony Sulfide）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形類型：合成尺寸：~8mm...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Single crystal highly oriented -synthetic- molybdenum disulfide （2H-MoS?） c...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系晶胞參數(shù)：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= ...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硫化鈮晶體 2H-NbS2（Niobium Disulfide）晶體尺寸：2毫米電學(xué)性能：金屬，superconductor （Tc~6K）, ch...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：三硫化鈮晶體（99.995%） NbS3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaT...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：三硫化鐵（磷摻雜）晶體（99.995%） FePS3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,Nb...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：三硫化錳（磷摻雜）晶體（99.995%） MnPS3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,Nb...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-11 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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