測(cè)試?yán)碚摚?br>
吸附、脫附等溫線測(cè)定; BET比表面測(cè)定(單點(diǎn)/多點(diǎn)法);
朗格繆爾(Langmuir)比表面; 統(tǒng)計(jì)吸附層厚度法外比表面;
BJH法孔容孔徑分布; MK-plate法(平行板模型)孔容孔徑分布;
D-R法微孔分析; t-plot法(Boder)微孔分析;
H-K法(Original)微孔分析; MP法(Brunauer) 微孔分析;
真密度測(cè)試; 粒度估算報(bào)告。
測(cè)試范圍:
比表面積:0.0005m2/g至無上限。
總孔體積:0.0001cc/g至無上限。
孔徑:0.35-500 nm(微孔常規(guī)分析: 0. 35-2nm; 介孔分析: 2nm-50nm; 大孔分析: 50nm-500nm)。
測(cè)量精度:
比表面積重復(fù)精度≤± 1.0%,*可幾孔徑重復(fù)偏差≤0.02nm,真密度 ≤±0.04%;外表面積≤± 1.5%。
樣品類型:粉末,顆粒,纖維及片狀材料等可裝入樣品管的材料。
分析站:
4個(gè)分析站,1個(gè)P0站,4個(gè)處理站;
測(cè)試4個(gè)樣品和4個(gè)樣品的脫氣處理,并且樣品的測(cè)試過程和脫氣處理可同時(shí)進(jìn)行;測(cè)試系統(tǒng)和脫氣系統(tǒng)相互獨(dú)立。
獨(dú)立P0:具有獨(dú)立的飽和蒸汽壓(P0)測(cè)試站,保證分壓測(cè)試的高準(zhǔn)確性。
測(cè)試系統(tǒng):根據(jù)國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)“氮?dú)?氦氣”測(cè)試模式,利用氦氣測(cè)試溫區(qū)體積,使測(cè)試精度更高,重復(fù)性更好。
預(yù)處理:
4路脫氣站,脫氣過程由軟件自動(dòng)控制,具有獨(dú)立控溫、獨(dú)立定時(shí)以及真空泵啟停等功能??芍С峙c測(cè)試同步進(jìn)行的不同溫度與不同時(shí)間的樣品脫氣處理;還具備預(yù)處理起止時(shí)間的預(yù)設(shè)功能,實(shí)現(xiàn)無人值守測(cè)試和樣品處理,大大提高工作效率。具有“普通加熱抽真空分子擴(kuò)散模式”和“分子置換模式”兩種可選功能;分子置換模式相對(duì)分子擴(kuò)散模式效率提高1倍以上,可節(jié)省一半以上的預(yù)處理時(shí)間,解決以往靜態(tài)法樣品制備時(shí)間長(zhǎng)的問題。
氣控閥:采用
日本SMC氣控閥,杜絕因電磁閥發(fā)熱產(chǎn)生的氣體受熱膨脹問題。
管路通徑:
大通徑是高真空的條件,脫氣位和測(cè)試位采用大通徑閥門和管路,使真空泵的極限真空得到效果的體現(xiàn)。
真空系統(tǒng):儀器配備
兩套獨(dú)立的真空系統(tǒng),既脫氣系統(tǒng)和分析系統(tǒng)相互獨(dú)立;極限真空達(dá)到10-2Pa,避免由一套真空系統(tǒng)而帶來的污染問題。
壓力測(cè)試:每個(gè)分析站都配有
電容硅薄膜雙壓力傳感器,分段測(cè)試:0-1000torr,0-1torr;讀數(shù)精度誤差≤0.15%,為目前壓力傳感器的精度;大孔段具有P0的實(shí)時(shí)測(cè)試功能,使P/P0在趨于臨界點(diǎn)時(shí)的控制精度達(dá)到0.998。
真空泵:
Atlas雙級(jí)機(jī)械真空泵,全程軟件自動(dòng)啟停控制,實(shí)現(xiàn)了全自動(dòng)化操作。
液氮杯:配備了3L大容量小口徑杜瓦瓶,保證至少90小時(shí)無需添加液氮。
標(biāo)簽:介孔材料 比表面積 孔徑