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更新時(shí)間：2023-01-03 18:26:03瀏覽次數(shù)：669次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來自 環(huán)保在線HMDS基片預(yù)處理系統(tǒng)主要適用于硅片、砷化鎵、陶瓷、不銹鋼、鈮酸鋰、玻璃、藍(lán)寶石、晶圓等材料，為基片在涂膠前改善表面活性，增加光刻膠與基底的粘附力的專用設(shè)備，也可用于晶片其它工藝的清洗，尤其在芯片研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域應(yīng)用更加普及。
HMDS基片預(yù)處理系統(tǒng)-真空鍍膜機(jī)
一·應(yīng)用領(lǐng)域
HMDS基片預(yù)處理系統(tǒng)主要適用于硅片、砷化鎵、陶瓷、不銹鋼、鈮酸鋰、玻璃、藍(lán)寶石、晶圓等材料，為基片在涂膠前改善表面活性，增加光刻膠與基底的粘附力的專用設(shè)備，也可用于晶片其它工藝的清洗，尤其在芯片研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域應(yīng)用更加普及。
二. 滿足標(biāo)準(zhǔn)
1、GB/T 29251-2012真空干燥箱
2、GB/T 11164-2011真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件
3、JB/T 6922-2015 真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
4、SJ/T 11185-1998 蒸發(fā)鍍膜設(shè)備通用規(guī)范
5、SJ/T 31083-2016 真空鍍膜設(shè)備完好要求和檢查評(píng)定方法
三. 應(yīng)用背景
在半導(dǎo)體（芯片/集成電路）生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個(gè)工藝環(huán)節(jié)，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時(shí)顯影液會(huì)侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠，等現(xiàn)象，導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗，同時(shí)濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。通過HMDS預(yù)處理系統(tǒng)預(yù)處理后，使基片表面涂布一層硅氧烷為主體的化合物，可以改善以上各種狀況，從而大大提高了產(chǎn)品質(zhì)量，降低次品率。
四. 工作原理
設(shè)備為PLC工控全自動(dòng)運(yùn)行，通過高溫烘烤基片，去除其表面的水分，充入HMDS（六甲基二硅氮烷C6H19NSi2）氣體，在高溫作用下，基片表面和HMDS充分融合反應(yīng)，生成以硅氧烷為主體的化合物，使基片表面由親水變?yōu)槭杷?，其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合，起著偶聯(lián)劑的作用。
五. 使用流程
啟動(dòng)真空泵使腔體內(nèi)達(dá)到設(shè)定真空值，待腔內(nèi)真空度達(dá)到某一高真空后，開始沖入氮?dú)猓缓笤龠M(jìn)行真空操作，再次充入氮?dú)?，?jīng)過反復(fù)真空充氮，可提高箱體內(nèi)潔凈度，開始保持一段時(shí)間，使硅片充分受熱，減少硅片表面的水分，然后再次開始抽真空，沖入HMDS氣體，在達(dá)到設(shè)定時(shí)間后停止充入，進(jìn)入保持階段，使硅片充分與HMDS反應(yīng)。當(dāng)保持時(shí)間達(dá)到設(shè)定值后，再次開始抽真空，沖入氮?dú)?，完成整個(gè)作業(yè)過程。
六．技術(shù)參數(shù)
HMDS基片預(yù)處理系統(tǒng)-真空鍍膜機(jī)
| 型號(hào) | DS-HMDS-50 | DS-HMDS-90 | DS-HMDS-210 | DS-HMDS-250 | |||
| 控制系統(tǒng) | 微電腦集成控制 | ||||||
| 溫度范圍 | RT+10～200℃ | ||||||
| 溫度波動(dòng)度 | ≤±0.5℃ | ||||||
| 溫度分辨率 | 0.1℃ | ||||||
| 可達(dá)真空度 | ≤133pa | ||||||
| 觀測(cè)窗 | 內(nèi)層加厚鋼化玻璃，外層高透亞克力 | ||||||
| 真空度 | 數(shù)顯 | ||||||
| 真空泵 | 2XZ-2B | 2XZ-4B | |||||
| 循環(huán)方式 | 對(duì)流循環(huán) | ||||||
| 電源電壓 | AC220V/50Hz | AC380V/50Hz | |||||
| 內(nèi)膽尺寸 | 410x370x345 | 450x450x450 | 560x640x600 | 600x600x700 | |||
| 外形尺寸 | 820x550x1285 | 860x630x1470 | 980x820x1750 | 1000x800x1850 | |||
| 定時(shí)范圍 | 1～9999min | ||||||
| 運(yùn)行方式 | 定值運(yùn)行 定時(shí)運(yùn)行 | ||||||
| 附加功能 | 斷電記憶 傳感器偏差修正 自整定 內(nèi)參鎖止 | ||||||
| 容積 | 52L | 91L | 215L | 252L | |||
| 功率 | 1.65KW | 2.65KW | 3.6KW | 4KW | |||
七·產(chǎn)品亮點(diǎn)
1、控制采用PLC工控自動(dòng)化系統(tǒng)，人機(jī)界面采用觸摸屏，具有可靠性高，操作方便、直觀等特點(diǎn).
2、超大觀測(cè)窗，外層采用透光度99%的亞克力板，內(nèi)層采用高強(qiáng)度鋼化玻璃，全程可視化監(jiān)測(cè)。
3、內(nèi)膽采用防腐防酸堿不銹鋼，四角圓弧設(shè)計(jì)，易清潔。
4、去水烘烤和增粘（疏水）處理一機(jī)完成，無需轉(zhuǎn)移，有效規(guī)避HMDS（六甲基二硅氮烷C6H19NSi2）泄露的危險(xiǎn)。
5、處理更加均勻。由于它是以蒸汽的形式涂布到基片表面上，所以比液態(tài)涂布更均勻。
6、效率高。液態(tài)涂布是單片操作，而本系統(tǒng)一次可以處理多達(dá)4~20盒的晶片。
7、更加節(jié)省藥液。以蒸汽的形式涂布到晶片表面上，一次可以處理多達(dá)4~20盒的晶片，更加節(jié)省藥液；
8、更加環(huán)保和安全，HMDS是有毒化學(xué)藥品，人吸入后會(huì)出現(xiàn)反胃、嘔吐、腹痛、刺激胸部、呼吸道等，由于整個(gè)過程是在密閉的環(huán)境下完成的，所以人接觸不到藥液及其蒸汽，也就更加安全，它的尾氣是直接由機(jī)械泵抽到尾氣處理機(jī)，降低對(duì)環(huán)境的污染。
八.安全保護(hù)
1、超溫報(bào)警 2、過流過載保護(hù) 3、快速熔斷器 4、接地保護(hù) 5、缺相保護(hù) 6、漏電保護(hù)器
九· 特別注意
1、HMDS基片預(yù)處理系統(tǒng)測(cè)試條件：空載、無強(qiáng)磁、無震動(dòng)、環(huán)境溫度20℃、環(huán)境相對(duì)濕度50%RH。
2、本公司可根據(jù)客戶不同需要，設(shè)計(jì)，制造各種相關(guān)溫度、濕度、真空度、潔凈度、氣體濃度等參數(shù)的箱體設(shè)備。
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