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HMDS基片預(yù)處理系統(tǒng)-真空鍍膜機(jī)

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

HMDS基片預(yù)處理系統(tǒng)主要適用于硅片、砷化鎵、陶瓷、不銹鋼、鈮酸鋰、玻璃、藍(lán)寶石、晶圓等材料,為基片在涂膠前改善表面活性,增加光刻膠與基底的粘附力的專用設(shè)備,也可用于晶片其它工藝的清洗,尤其在芯片研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域應(yīng)用更加普及。

詳細(xì)介紹

HMDS基片預(yù)處理系統(tǒng)-真空鍍膜機(jī)

一·應(yīng)用領(lǐng)域
HMDS基片預(yù)處理系統(tǒng)主要適用于硅片、砷化鎵、陶瓷、不銹鋼、鈮酸鋰、玻璃、藍(lán)寶石、晶圓等材料,為基片在涂膠前改善表面活性,增加光刻膠與基底的粘附力的專用設(shè)備,也可用于晶片其它工藝的清洗,尤其在芯片研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域應(yīng)用更加普及。

                 

二. 滿足標(biāo)準(zhǔn)
1、GB/T 29251-2012真空干燥箱
2、GB/T 11164-2011真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件
3、JB/T 6922-2015  真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
4、SJ/T 11185-1998 蒸發(fā)鍍膜設(shè)備通用規(guī)范
5、SJ/T 31083-2016 真空鍍膜設(shè)備完好要求和檢查評(píng)定方法

三. 應(yīng)用背景
在半導(dǎo)體(芯片/集成電路)生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個(gè)工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時(shí)顯影液會(huì)侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠,等現(xiàn)象,導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗,同時(shí)濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。通過HMDS預(yù)處理系統(tǒng)預(yù)處理后,使基片表面涂布一層硅氧烷為主體的化合物,可以改善以上各種狀況,從而大大提高了產(chǎn)品質(zhì)量,降低次品率。

                               

四. 工作原理
設(shè)備為PLC工控全自動(dòng)運(yùn)行,通過高溫烘烤基片,去除其表面的水分,充入HMDS(六甲基二硅氮烷C6H19NSi2)氣體,在高溫作用下,基片表面和HMDS充分融合反應(yīng),生成以硅氧烷為主體的化合物,使基片表面由親水變?yōu)槭杷?,其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合,起著偶聯(lián)劑的作用。

五. 使用流程
啟動(dòng)真空泵使腔體內(nèi)達(dá)到設(shè)定真空值,待腔內(nèi)真空度達(dá)到某一高真空后,開始沖入氮?dú)猓缓笤龠M(jìn)行真空操作,再次充入氮?dú)?,?jīng)過反復(fù)真空充氮,可提高箱體內(nèi)潔凈度,開始保持一段時(shí)間,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分,然后再次開始抽真空,沖入HMDS氣體,在達(dá)到設(shè)定時(shí)間后停止充入,進(jìn)入保持階段,使硅片充分與HMDS反應(yīng)。當(dāng)保持時(shí)間達(dá)到設(shè)定值后,再次開始抽真空,沖入氮?dú)?,完成整個(gè)作業(yè)過程。

六.技術(shù)參數(shù)

HMDS基片預(yù)處理系統(tǒng)-真空鍍膜機(jī)

型號(hào)

DS-HMDS-50

DS-HMDS-90

DS-HMDS-210

DS-HMDS-250

控制系統(tǒng)

微電腦集成控制

溫度范圍

RT+10~200

溫度波動(dòng)度

≤±0.5

溫度分辨率

0.1

可達(dá)真空度

≤133pa

觀測(cè)窗

內(nèi)層加厚鋼化玻璃,外層高透亞克力

真空度

數(shù)顯

真空泵

2XZ-2B

2XZ-4B

循環(huán)方式

對(duì)流循環(huán)

電源電壓

AC220V/50Hz

AC380V/50Hz

內(nèi)膽尺寸

410x370x345

450x450x450

560x640x600

600x600x700

外形尺寸

820x550x1285

860x630x1470

980x820x1750

1000x800x1850

定時(shí)范圍

1~9999min

運(yùn)行方式

定值運(yùn)行 定時(shí)運(yùn)行

附加功能

斷電記憶 傳感器偏差修正 自整定 內(nèi)參鎖止

容積

52L

91L

215L

252L

功率

1.65KW

2.65KW

3.6KW

4KW


 

七·產(chǎn)品亮點(diǎn)
1、控制采用PLC工控自動(dòng)化系統(tǒng),人機(jī)界面采用觸摸屏,具有可靠性高,操作方便、直觀等特點(diǎn).
2、超大觀測(cè)窗,外層采用透光度99%的亞克力板,內(nèi)層采用高強(qiáng)度鋼化玻璃,全程可視化監(jiān)測(cè)。
3、內(nèi)膽采用防腐防酸堿不銹鋼,四角圓弧設(shè)計(jì),易清潔。
4、去水烘烤和增粘(疏水)處理一機(jī)完成,無需轉(zhuǎn)移,有效規(guī)避HMDS(六甲基二硅氮烷C6H19NSi2)泄露的危險(xiǎn)。
5、處理更加均勻。由于它是以蒸汽的形式涂布到基片表面上,所以比液態(tài)涂布更均勻。
6、效率高。液態(tài)涂布是單片操作,而本系統(tǒng)一次可以處理多達(dá)4~20盒的晶片。
7、更加節(jié)省藥液。以蒸汽的形式涂布到晶片表面上,一次可以處理多達(dá)4~20盒的晶片,更加節(jié)省藥液; 
8、更加環(huán)保和安全,HMDS是有毒化學(xué)藥品,人吸入后會(huì)出現(xiàn)反胃、嘔吐、腹痛、刺激胸部、呼吸道等,由于整個(gè)過程是在密閉的環(huán)境下完成的,所以人接觸不到藥液及其蒸汽,也就更加安全,它的尾氣是直接由機(jī)械泵抽到尾氣處理機(jī),降低對(duì)環(huán)境的污染。

                             
 
八.安全保護(hù)
1、超溫報(bào)警   2、過流過載保護(hù)    3、快速熔斷器    4、接地保護(hù)    5、缺相保護(hù)    6、漏電保護(hù)器    

九· 特別注意
1、HMDS基片預(yù)處理系統(tǒng)測(cè)試條件:空載、無強(qiáng)磁、無震動(dòng)、環(huán)境溫度20℃、環(huán)境相對(duì)濕度50%RH。
2、本公司可根據(jù)客戶不同需要,設(shè)計(jì),制造各種相關(guān)溫度、濕度、真空度、潔凈度、氣體濃度等參數(shù)的箱體設(shè)備。


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