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更新時(shí)間：2023-04-01 17:02:00瀏覽次數(shù)：301次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自 環(huán)保在線二手ABSCIEX5500三重四極桿液質(zhì)聯(lián)用儀LC-MS-MS用于zui復(fù)雜基質(zhì)樣品分析，定量分析靈敏度zui高的三重四極桿串聯(lián)質(zhì)譜儀體積小巧是5500相對(duì)以前儀器非常重要的改進(jìn)
二手AB SCIEX 5500 三重四極桿液質(zhì)聯(lián)用儀 LC-MS-MS用于zui復(fù)雜基質(zhì)樣品分析，定量分析靈敏度zui高的三重四極桿串聯(lián)質(zhì)譜儀
體積小巧是5500相對(duì)以前儀器非常重要的改進(jìn)。
5500集所有附件為一體。面板有切換閥，下面有一個(gè)預(yù)留的位置，可以供客戶再裝一個(gè)閥。離子源在中間，右邊是針泵（向上走），右上邊是儀
器狀態(tài)顯示燈。 體積比前幾代型號(hào)減少了44％。
ABI 5500系統(tǒng)在硬件上的六大技術(shù)創(chuàng)新
一、接口的改進(jìn)：提高了QaQ/MRM靈敏度
使用了QJet離子導(dǎo)向技術(shù)（注：在API 5000之前的型號(hào)，使用的是Skimmer）
二、創(chuàng)新的QJet™-2離子透鏡，極大地提高了系統(tǒng)的靈敏度，改善了真空的分配
QJet-2離子透鏡用于聚焦來(lái)自離子源的離子，在四極桿上只加RF射頻電壓；大孔徑設(shè)計(jì)使更多離子能進(jìn)入質(zhì)量分析器；用氣動(dòng)學(xué)原理和RF射頻電壓將離子捕獲，并聚焦進(jìn)入質(zhì)量分析器的高真空區(qū)域。這是提高靈敏度的基礎(chǔ)。
三、創(chuàng)新的彎曲的LINAC碰撞室，提高了離子傳輸速度，增加了離子容量，改善了質(zhì)譜數(shù)據(jù)質(zhì)量
Q2是彎曲的LINAC碰撞室，它提高了LINAC軸向電場(chǎng)，所以具有更快的離子傳輸能力。優(yōu)勢(shì)在于：（1）減小儀器體積，減輕分子泵的壓力（只需一個(gè)分子泵）；（2）彎曲碰撞室設(shè)計(jì)可極大地降低中性物質(zhì)的進(jìn)入；（3）硬件的改進(jìn)以及新的線性加速器的設(shè)計(jì)，再結(jié)合軟件和電子學(xué)的完善，在進(jìn)行MRM實(shí)驗(yàn)時(shí)，具有更短的停頓時(shí)間和駐留時(shí)間，同時(shí)不降低質(zhì)譜數(shù)據(jù)質(zhì)量（比如時(shí)間即使為幾個(gè)毫秒，靈敏度不下降）。比如通常，Q2的電壓為50V，相比以前儀器的1.9V，可以使離子獲得更快的加速。
四、提供了線性加速的離子阱Linear Accelerated™ Trap：更快的掃描速度，更快的分析時(shí)間
提高線性離子阱靈敏度的原因來(lái)自于：
（1）線性加速離子阱技術(shù)，是在線性離子阱內(nèi)增加一軸向電壓，目標(biāo)離子在掃描前更向萃取區(qū)域集中（離子被濃縮）。
（2）改善散射場(chǎng)：在離子萃取區(qū)適當(dāng)增加一定相輔助射頻電壓
譜圖質(zhì)量更高、離子阱內(nèi)的質(zhì)譜碎片更豐富的原因來(lái)自于：
（1）脈沖氣的引入能更快地冷卻離子
（2）脈沖氣和更高的RF電壓，能在很短的離子激活時(shí)間內(nèi)在離子阱內(nèi)產(chǎn)生更豐富的離子碎片信息
以前的Qtrap3200和Qtrap 4000，離子阱的掃描速度為4,000 amu/sec，Qtrap 5500提高到20,000 amu/sec。
更短的離子阱碎片掃描時(shí)間，以前是幾個(gè)毫秒，現(xiàn)在可到50微秒
優(yōu)點(diǎn)：
五、創(chuàng)新的AcQuRate™脈沖離子計(jì)數(shù)檢測(cè)器：確保系統(tǒng)的重現(xiàn)性和精確性
脈沖離子計(jì)數(shù)器是在某一時(shí)間內(nèi)檢測(cè)離子碰撞到電子倍增器時(shí)產(chǎn)生的離子脈沖，輸出一與離子流相關(guān)的數(shù)字信號(hào)。它與模擬檢測(cè)器相比，更不容易受背景噪聲的影響；而且不需過(guò)濾信號(hào)。
在不同濃度點(diǎn)的重復(fù)性非常好。比如在1～100 fg/uL的極低濃度下，如果用模擬檢測(cè)器，精密度很差，CV甚至達(dá)到40％，而用了脈沖離子計(jì)數(shù)器，CV總在3％以下。所以，脈沖離子計(jì)數(shù)器不僅非常靈敏度，同時(shí)還具有的精密度。
六、創(chuàng)新的eQ™ Electroics電子系統(tǒng)：確?？焖賿呙瑁珽SI的快速正負(fù)切換
eQ電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，使串聯(lián)四極桿的速度提高了四倍而不降低靈敏度；碰撞室采用動(dòng)態(tài)軸向設(shè)計(jì)；母離子掃描和中性丟失掃描的性能沒(méi)有降低。
極大的優(yōu)點(diǎn)是提供更快的MRM速度：
我們知道，MRM的速度跟幾個(gè)因素有關(guān)，掃描速度、離子駐留時(shí)間（dwell time）、MRM切換速度，有時(shí)需考慮正/負(fù)離子切換速度。
MRM實(shí)驗(yàn)中掃描的是一個(gè)質(zhì)量數(shù)，所以掃描速度（2,000 amu/sec）已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了MRM實(shí)驗(yàn)的要求；過(guò)去制約速度的瓶頸是離子駐留時(shí)間，過(guò)去常需要幾十毫秒，如果過(guò)短，數(shù)據(jù)質(zhì)量會(huì)受到影響。對(duì)于MRM切換速度存在同樣的瓶頸。
5500的創(chuàng)新設(shè)計(jì)使其即使在2毫秒的駐留時(shí)間、2～3毫秒的MRM切換速度下，不降低數(shù)據(jù)質(zhì)量，因此真正解決了當(dāng)前MRM速度的瓶頸。同時(shí)，具有更快的ESI正負(fù)極性切換速度（50毫秒）。
整體性能上，在MRM方面，一次實(shí)驗(yàn)可檢測(cè)2500對(duì)MRM離子，一個(gè)時(shí)間段內(nèi)可檢測(cè)1000對(duì)MRM離子，同時(shí)不降低數(shù)據(jù)質(zhì)量。
多殘留檢測(cè)的者：2003年100對(duì)MRM，2005年300對(duì)MRM，2008年>750對(duì)sMRM 綜合起來(lái)，得到一個(gè)的高靈敏度和高速度。具體的指標(biāo)沒(méi)有給出，但顯示了幾張圖：MRM實(shí)驗(yàn)，5 fg，信噪比S/N 為57:1；on column柱上進(jìn)樣，10 fg，信噪比S/N為23:1。
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