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PlasmaStar 200/200 RIE 反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng) 反應(yīng)離子蝕刻機(jī)

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PlasmaStar200/200RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)等離子刻蝕機(jī)一、反應(yīng)離子刻蝕機(jī)PlasmaStar100儀器介紹PlasmaSTAR®系列等離子處理系統(tǒng)適合處理所有的材料，擁有多種腔室和電極配置，可滿足不同的等離子工藝和基片尺寸

詳細(xì)介紹

PlasmaStar 200/200 RIE 反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng) 等離子刻蝕機(jī)

一、反應(yīng)離子刻蝕機(jī)PlasmaStar 100儀器介紹

PlasmaSTAR®系列等離子處理系統(tǒng)適合處理所有的材料，擁有多種腔室和電極配置，可滿足不同的等離子工藝和基片尺寸。占地面積小，用于各種等離子工藝的模塊化腔室和電極配置。此外，觸摸屏計(jì)算機(jī)控制，多級(jí)程序控制和組件控制，操作簡(jiǎn)單。PlasmaSTAR®模塊化腔室和電極組件是該系統(tǒng)的功能。腔室材料是硬質(zhì)陽(yáng)極氧化鋁，有幾種不同的電極設(shè)計(jì)，包括用于反應(yīng)離子刻蝕（RIE）和平面處理的水冷平板電極，用于表面清洗或處理的交替多層托盤電極，用于最小化離子損傷的下游電極，和用于普通的圓柱形籠式電極。
1、腔體尺寸：直徑≥200mm，深度≥280mm；

2、腔體材質(zhì)：硬質(zhì)陽(yáng)極氧化鋁矩形腔體；

3、處理腔背面材質(zhì)：鋁；

4、處理腔門：要求全自動(dòng)腔門；

5、兩路工藝氣體，≥2路質(zhì)量流量控制器控制氣體流量，氣體輸入腔室?guī)蛄髟O(shè)計(jì)；

6、射頻功率：0~600W連續(xù)可調(diào)，，自動(dòng)匹配，自然風(fēng)冷；

7、配備RIE平面水冷平板電極；

8、7英寸及以上顯示器、觸摸屏、圖形用戶界面；

9、程序控制：觸摸屏電腦控制，無(wú)線程序存儲(chǔ)；

10、Windows操作系統(tǒng)，兼容Windows office軟件，USB接口，可進(jìn)行外部電腦遠(yuǎn)程控制的功能；

11、狀態(tài)和出錯(cuò)信息提示，過程數(shù)據(jù)和出錯(cuò)信息存儲(chǔ)，可選擇自動(dòng)和手動(dòng)操作模式，過程數(shù)據(jù)可以導(dǎo)出，工藝參數(shù)以圖形方式呈現(xiàn)，可實(shí)時(shí)監(jiān)控，自動(dòng)實(shí)現(xiàn)泄露檢測(cè)；

12、配套緊急急停按鈕（EMO)，配套電路斷路器，機(jī)械聯(lián)鎖（門傳感器）和真空聯(lián)鎖（壓力開關(guān)），通過軟件可進(jìn)行遠(yuǎn)程的真空聯(lián)鎖；

13、典型的光刻膠刻蝕速率：80nm/min；

14、典型工藝均勻性：≥±10%；

關(guān)鍵詞：刻蝕機(jī) 質(zhì)量流量控制器顯示器傳感器壓力開關(guān)