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電子束物理法提純?cè)O(shè)備

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

「設(shè)備用途」采用物理冶金提純法，主要用于冶金級(jí)工業(yè)硅粉的提純，用以制備太陽能級(jí)多晶硅原材料

詳細(xì)介紹

「設(shè)備用途」

采用物理冶金提純法，主要用于冶金級(jí)工業(yè)硅粉的提純，用以制備太陽能級(jí)多晶硅原材料。

產(chǎn)品型號(hào)	VEBZ-2
主真空室	臥式圓筒型真空室，尺寸φ1000×2000mm，雙層水冷。
主真空室真空獲得系統(tǒng)	擴(kuò)散泵，羅茨泵，機(jī)械泵，高真空氣動(dòng)擋板閥。
極限真空度	6.6×10-3Pa（冷態(tài)），漏率：≤1×10-7Pa.L/s；壓升率：1.33Pa./h。
雙槍電子束系統(tǒng)	電子槍漏率：≤1×10-7Pa.L/s；工作真空度6.6×10-1Pa-6.6×10-3Pa.（用戶可自己提供）。
加料系統(tǒng)	加料倉(cāng)設(shè)有電動(dòng)給料裝置，硅料塊直徑不大于30mm，加料倉(cāng)下面設(shè)有電動(dòng)進(jìn)料裝置，每次加料量為2kg硅料。加料倉(cāng)和進(jìn)料機(jī)構(gòu)之間設(shè)有電動(dòng)閘板閥，采用獨(dú)立真空獲得系統(tǒng)。
澆鑄系統(tǒng)	設(shè)有一套翻轉(zhuǎn)同軸電極。
出料系統(tǒng)	出料倉(cāng)尺寸	立式U型：φ600×1000，雙層水冷，獨(dú)立真空獲得系統(tǒng)。
	料框升降機(jī)構(gòu)	液壓升降機(jī)構(gòu)。
	水冷銅結(jié)晶器	內(nèi)部尺寸：φ300×800。