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IBE-200Z離子束刻蝕機(jī)

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北京金盛微納科技有限公司

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產(chǎn)品簡介

本產(chǎn)品是利用低能量平行Ar+離子束對基片表面進(jìn)行轟擊，表面上未被掩膜覆蓋部分的材料被濺射出，從而達(dá)到選擇刻蝕的目的，它采用純物理的刻蝕原理

詳細(xì)介紹

本產(chǎn)品是利用低能量平行Ar+離子束對基片表面進(jìn)行轟擊，表面上未被掩膜覆蓋部分的材料被濺射出，從而達(dá)到選擇刻蝕的目的，它采用純物理的刻蝕原理。離子束刻蝕是目前所有刻蝕方法中分辨率，陡真性方法，它可以對所有材料進(jìn)行刻蝕，例如：金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體、超導(dǎo)體等。

詳細(xì)描述

本產(chǎn)品采用口徑φ200mm考夫曼型離子源，通過結(jié)構(gòu)的雙鉬柵離子光學(xué)系統(tǒng)及SHAG技術(shù)保證在φ150mm范圍內(nèi)束流的均勻性為±5%，電子中和系統(tǒng)可使樣片上的電荷積累為零。

本設(shè)備的刻蝕工作臺(tái)可繞工作中心自轉(zhuǎn)，離子束入射角可在0～90°之間任意調(diào)整。

本設(shè)備具有刻蝕速率穩(wěn)定、均勻性好、重復(fù)性好等特點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于微電子、光電子、通訊等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。

自動(dòng)控制系統(tǒng)采用工控計(jì)算機(jī)及PLC控制、觸摸顯示屏操作，實(shí)現(xiàn)真空系統(tǒng)及工藝過程自動(dòng)化。本機(jī)可選擇全自動(dòng)及非全自動(dòng)模式。

產(chǎn)品主要性能指標(biāo)

型號(hào)	IBE-200Z
真空系統(tǒng)	分子泵機(jī)組
刻蝕室數(shù)量	單刻蝕室
刻蝕室規(guī)格	435×406×490mm
工作臺(tái)尺寸	?200mm（片徑≤6英寸）
離子束入射角	0～90°之間任意調(diào)整
刻蝕速率	100?～2000?/min（與刻蝕材料和工藝有關(guān)）
刻蝕不均勻性	≤±5%
Ar⁺離子能量范圍	100～1000eV，連續(xù)可調(diào)
離子束流密度	0～1mA/cm²，連續(xù)可調(diào)
有效離子束直徑	≥?100mm（屏柵極直徑?150mm）
電子中和	帶有熱絲結(jié)構(gòu)的電子中和裝置