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當(dāng)前位置:杭州瑞析科技有限公司>>ICP-MS 主機(jī)>>安捷倫Agilent G3272B 7500cx Series ICP-MS(二手)

安捷倫Agilent G3272B 7500cx Series ICP-MS(二手)

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產(chǎn)品簡介

1產(chǎn)品描述CP-MS已被為痕量金屬元素分析的技術(shù)

詳細(xì)介紹

1
產(chǎn)品描述

CP-MS已被為痕量金屬元素分析的 技術(shù)。當(dāng)今的常規(guī)實(shí)驗(yàn)室要求比 ICP-OES更為靈敏,比石墨爐原子吸收 (GFAAS)更為快速的分析技術(shù)。ICP-MS 可滿足上述兩方面的需求,它具有更寬 的工作范圍,并可同時(shí)測定能生成氫化 物的元素及痕量Hg,同時(shí)還具備半定量 及同位素比分析能力。ICP-MS又可作為 一種極為理想的多功能的檢測器,與色 譜和激光技術(shù)聯(lián)用。 安捷倫新的7500系列具有自動化的 易于使用、靈活性、可靠性以及優(yōu)秀的 設(shè)計(jì),它提供了的分析性能。 新的7500系列可配備第二代八級桿反應(yīng) 池(ORS)技術(shù),提供多種選擇的進(jìn)樣附件、 應(yīng)用與維修服務(wù)支持,它正在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)入ICP-MS時(shí)代。 安捷倫新的7500系列包括兩種不同的型 號,可滿足不同的應(yīng)用需求和經(jīng)費(fèi)預(yù)算。 無論您的應(yīng)用需求有什么變化,安捷倫 都將確保儀器的擴(kuò)展功能與現(xiàn)場升級能 力,使您的投資得到報(bào)償

色譜與ICP-MS聯(lián)用:元素形態(tài)分析 在環(huán)境、生物醫(yī)學(xué)、食品、制藥以及石 油化工領(lǐng)域,人們正在認(rèn)識到不僅需要 測定一種元素的總量,更為重要的是要 能夠測出其化學(xué)形態(tài)。因?yàn)樵氐幕瘜W(xué) 形態(tài)可能對元素的生物有效性、遷移性、 毒理性以及化學(xué)性質(zhì)有著更為重要的影 響。目前,ICP-MS與各種色譜分離技術(shù) 聯(lián)用被為是通用的有力的元素 形態(tài)分析工具。 作為世界上*的GC,LC,CE以及 ICP-MS的供應(yīng)商,安捷倫為形態(tài)分析提 供了可用于常規(guī)分析的聯(lián)用方案并推動 世界形態(tài)分析領(lǐng)域迅速發(fā)展。安捷倫于 2001年推出了臺商品GC-ICP-MS接 口,其特色是提供了可加熱的傳輸管線, 能處理高沸點(diǎn)化合物。安捷倫也提供 IC-ICP-MS連接配件包以及完整的分析方 案,比如尿中砷形態(tài)分析配件包。安捷 倫的分離技術(shù)專業(yè)經(jīng)驗(yàn)將保證聯(lián)用技術(shù) 的嚴(yán)密安裝及應(yīng)用實(shí)施。

ICP-MS全稱電感耦合等離子體質(zhì)譜(Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry),可分析幾乎地球上所有元素(Li-U

ICP-MS技術(shù)是80年代發(fā)展起來的新的分析測試技術(shù)。它以將ICP的高溫(8000K)電離特性與四極桿質(zhì)譜計(jì)的靈敏快速掃描的優(yōu)點(diǎn)相結(jié)合而形成一種新型的有力的元素分析、同位素分析和形態(tài)分析技術(shù)。

該技術(shù)提供了極低的檢出限、極寬的動態(tài)線性范圍、譜線簡單、干擾少、分析精密度高、分析速度快以及可提供同位素信息等分析特性。

1984年臺商品儀器問世以來,這項(xiàng)技術(shù)已從最初在地質(zhì)科學(xué)研究的應(yīng)用迅速發(fā)展到廣泛應(yīng)用于環(huán)境保護(hù)、半導(dǎo)體、生物、醫(yī)學(xué)、冶金、石油、核材料分析等領(lǐng)域。

被稱為當(dāng)代分析技術(shù)最激動人心的發(fā)展。

ICP離子源中的物質(zhì)

1) 已電離的待測元素:As+, Pb +, Hg +, Cd +, Cu +, Zn +, Fe +, Ca +, K +, ••••••

2) 主體:Ar原子(>99.99)

3) 未電離的樣品基體:Cl, NaCl(H2O) n, SOn, POn, CaO, Ca(OH)n, FeO, Fe(OH) n,••••••這些成分會沉積在采樣錐、截取錐、級提透鏡、第二級提取透鏡(以上部件在真空腔外) 、聚焦透鏡、W偏轉(zhuǎn)透鏡、偏置透鏡、預(yù)四極桿、四極桿、檢測器上(按先后順序依次減少),是實(shí)際樣品分析時(shí)使儀器不穩(wěn)定的主要因素,也是儀器污染的主要因素;

4) 已電離的樣品基體:ArO+, Ar +, ArH+, ArC +, ArCl +, ArAr +,Ar基分子離子) CaO+, CaOH +, SOn +, POn +, NOH +, ClO + ••••••( 樣品基體產(chǎn)生),這些成分因?yàn)榉肿恿颗c待測元素如Fe, Ca, K, Cr, As, Se, P, V, Zn, Cu等的原子量相同,是測定這些元素的主要干擾;

特別需要注意的是,1ppt濃度的樣品元素在0.4mL/minBabinton霧化器,0.1rps)速度進(jìn)樣時(shí),相當(dāng)于每秒進(jìn)入儀器>10,000,000個(gè)原子;而在檢測器得到的離子數(shù)在101000之間,即>99.99%的樣品及其基體停留在儀器內(nèi)部或被排廢消除;因此,加大進(jìn)樣量提高靈敏度的后果是同時(shí)加大儀器受污染速度。

等離子體能量越高à電離效率越高

許多元素的電離度主要取決于等離子體的溫度,若等離子體的能量不夠高,

基體水平的變化就會引起輕微的溫度變化,從而嚴(yán)重影響靈敏度。

plasma temperature

Element

Ip (eV)

5000 K

6000 K

7000 K

8000 K

Cs

3.89

99.4%

99.9%

100.0%

100.0%

Na

5.14

90.0%

98.9%

99.8%

99.9%

Ba

5.21

88.4%

98.7%

99.8%

99.9%

Li

5.39

83.4%

98.2%

99.7%

99.9%

Sr

5.69

71.5%

96.8%

99.5%

99.9%

Al

5.98

56.2%

94.5%

99.1%

99.8%

Pb

7.42

4.3%

51.2%

91.1%

98.3%

Mg

7.64

2.6%

40.7%

87.7%

97.7%

Co

7.86

1.6%

31.0%

83.2%

96.9%

Sb

8.64

0.3%

9.0%

57.6%

90.9%

Cd

8.99

0.1%

4.8%

43.2%

85.7%

Be

9.32

0.1%

2.6%

30.6%

78.8%

Se

9.75

0.0%

1.1%

17.8%

66.6%

As

9.81

0.0%

1.0%

16.4%

64.6%

Hg

10.43

0.0%

0.3%

6.5%

42.6%

氧化物干擾比例比較表 -CeO/Ce成為表征

元素

MO鍵強(qiáng)度 (kJ/mol)

MO+/M+

Rb

255

5.5 x 10-7

Cs

297

2.8 x 10-8

Co

368

1.7 x 10-5

Pb

409

1.2 x 10-5

Fe

427

1.1 x 10-5

Cr

512

3.6 x 10-5

Al

563

1.1 x 10-5

Ba

597

8.3 x 10-5

P

607

3.7 x 10-3

Mo

619

9.5 x 10-4

Sm

662

2.3 x 10-3

Ti

760

1.8 x 10-3

Zr

795

4.7 x 10-3

Si

799

1.5 x 10-3

Ce

795

1.3 x 10-2()

影響儀器檢測能力的因素

真空的測量(一)

1Pirani Gauges熱偶規(guī)

通過監(jiān)測熱絲溫度的變化間接測定真空壓力。適用于 1x10-2~1x103 pa的中等真空范圍。在7500中用于IF/BK的真空測定

真空的測量(二)

2、Penning Gauges冷陰極規(guī)

由圓筒形不銹鋼陰極及位于圓筒軸心的環(huán)狀或針狀陽極構(gòu)成。利用低壓氣體分子的電離電流與壓力有關(guān)的特性,通過檢測放電電流大小來測定真空壓力。多用于10-8~10-2 Pa 的高真空測定。在7500中用于Analyzer 的真空壓力測定

環(huán)境污染與實(shí)驗(yàn)室工作條件

實(shí)驗(yàn)步驟的優(yōu)化設(shè)計(jì)

試劑污染因素

購買適合測定要求的高純試劑

分子離子的干擾因素

優(yōu)化樣品引入系統(tǒng), 干擾校正方法, 屏蔽炬, 冷等離子體技術(shù), 碰撞池或反應(yīng)池

記憶效應(yīng)

優(yōu)化樣品引入系統(tǒng), 加長沖洗時(shí)間, 操作人員的素質(zhì)

接口效應(yīng),基體效應(yīng)

選擇信號強(qiáng)度隨著基體元素的基體效應(yīng)、接口效應(yīng)而與待測元素信號強(qiáng)度同時(shí)增強(qiáng)或降低的內(nèi)標(biāo)進(jìn)行校正

隨機(jī)背景

四極桿、離子透鏡、真空系統(tǒng)等的優(yōu)化組合設(shè)計(jì)

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