PLUTO-WIN是面向科研及企業(yè)研發(fā)客戶使用需求設(shè)計(jì)的高性價(jià)比ICP等離子體系統(tǒng)。作為一個(gè)多功能系統(tǒng)，它通過(guò)優(yōu)化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)與靈活的配置方案，獲得高性能ICP刻蝕工藝。該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊占地面積小，專業(yè)的機(jī)械設(shè)計(jì)與優(yōu)化的自動(dòng)化操作軟件使該設(shè)備操作簡(jiǎn)便、安全，且工藝穩(wěn)定重復(fù)性很好。

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 4/6/8英寸兼容，單片晶圓真空傳輸系統(tǒng)

● 低成本高可靠，適合研發(fā)及小規(guī)模生產(chǎn)

● 設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，外形小

● 操作簡(jiǎn)便、便于自動(dòng)控制、適合大面積基片刻蝕

● 優(yōu)異的刻蝕均勻性，刻蝕速率快

●滿足半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)的配方驅(qū)動(dòng)及管理軟件控制系統(tǒng)

● 選擇比高、各向異性高、刻蝕損傷小

● 斷面輪廓可控性高，刻蝕表面平整光滑

技術(shù)參數(shù)

晶圓尺寸：4/6/8英寸兼容

適用工藝：等離子體刻蝕

適用材料：SiC、Si、GaN、GaAs、InP、Ploy，etc.

應(yīng)用領(lǐng)域

適用領(lǐng)域：化合物半導(dǎo)體，MEMS、功率器件、科研等領(lǐng)域

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