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陜西博微電通科技有限責任公司
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BW-3022A
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西安市
BW-3022A 10008元 100套可售
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更新時間：2023-12-23 16:32:50瀏覽次數(shù)：205次
聯(lián)系我時，請告知來自 環(huán)保在線| 測量范圍 | 1500V | 測量精度 | 電流分辨率1nA |
|---|---|---|---|
| 產(chǎn)地 | 國產(chǎn) | 外形尺寸 | 深 305*寬 280*高 120mm |
| 用途 | 半導體分立器件測試 | 重量 | 小于5kg |
BWDT-3022A 型晶體管直流參數(shù)測試儀可測試三極管、MOS 場效應(yīng)管、J 型場效應(yīng)管、整流二極管、三端肖特基整流器、三端電壓穩(wěn)壓器和基準器 TL431,為三極管、MOS 場效應(yīng)管、J 型場效應(yīng)管、二極管等提供了 15 種最主要參數(shù)的測試，以及參數(shù)"合格/不合格"(OK/NO)測試，用戶通過機器上的按鍵很容易的把測試條件輸入進去，并將參數(shù)存入EEPROM 中，便于日后方便且快速的打開調(diào)用.
產(chǎn)品型號：BWDT-3022A
產(chǎn)品名稱：晶體管直流參數(shù)測試儀；
物理規(guī)格
主機尺寸：深 305*寬 280*高 120(mm)
主機重量：＜5Kg
主機顏色：白色系
電氣環(huán)境 主機功耗：＜75W
環(huán)境要求：-20℃～60℃（儲存）、5℃～50℃（工作）
相對濕度：≯85%； 大氣壓力：86Kpa～106Kpa
防護條件：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導電粉塵等
電網(wǎng)要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz
工作時間：連續(xù)；
BWDT-3022A 型晶體管直流參數(shù)測試儀是專為測試電子元器件的直流參數(shù)而設(shè)計。 可測試三極管、MOS 場效應(yīng)管、J 型場效應(yīng)管、整流二極管、三端肖特基整流器、三端 電壓穩(wěn)壓器和基準器 TL431，其良好的中文界面軟件，簡化了用戶對 BWDT-3022A 的操 作和編程。測試條件和測試參數(shù)一次快捷設(shè)定，并存入 EEPROM 中。不需附加任何其它 軟件，無需操作培訓,就可操作該儀器. BWDT-3022A 為三極管、MOS 場效應(yīng)管、J 型場效應(yīng)管、二極管等提供了 15 種最主 要參數(shù)的測試，以及參數(shù)"合格/不合格"(OK/NO)測試，用戶通過機器上的按鍵很容易的把 測試條件輸入進去，并將參數(shù)存入 EEPROM 中，便于日后方便且快速的打開調(diào)用。
※ 大屏幕液晶,中文操作界面,顯示直觀簡潔,操作方面簡單
※ 大容量 EEPROM 存儲器,儲存量可多達 2000 種設(shè)置型號數(shù).
※ 全部可編程的 DUT 恒流源和電壓源
※ 內(nèi)置繼電器矩陣自動連接所需的測試電路,電壓/電流源和測試回路
※ 高壓測試電流分辨率 1uA,測試電壓可達 1500V
※ 重復"回路"式測試解決了元件發(fā)熱和間歇的問題
※ 軟件自校準功能
※ 產(chǎn)品基于大規(guī)模微處理器,當用戶選定了設(shè)置好的型號時,在手動測試時,按下測試 開關(guān),使測試機開始執(zhí)行功能檢測,自動測試過程將在 BWDT-3022A 的測試座上檢測 DUT 短路,開路或誤接現(xiàn)象,如果發(fā)現(xiàn),就立即停止測試。功能檢測主要目的是保護被測器件DUT 不因型號選錯而測壞
※ DUT 的功能檢測通過 LCD 顯示出被測器件/DUT 的類型(三極管,MOS 場管等),引腳 排列(P_XXX)測試方式(手動/自動)并繼續(xù)進行循環(huán)測試,顯示測試結(jié)果是否合格,并有聲光 提示
※ 在測試整流二極管時,BWDT-3022A 能自動識別引腳功能,并自動轉(zhuǎn)換矩陣開關(guān)進 行參數(shù)測試.測試后顯示對應(yīng)引腳功能號
※ 兩種工作模式
1、自動模式：自動檢測有無 DUT 放于測試座中,有則自動處于重復測試狀態(tài),無則處 于重復檢測狀態(tài)； 2、手動模式：（剛開始未測試時屏幕白屏屬正常現(xiàn)象）;當測試開關(guān)按下后自動對測 試座中的 DUT 進行檢測測試,長按開關(guān)不松開則處于重復測試狀態(tài),松開開關(guān)則自動停止測試
1、BJT/三極管
(1)Vbe:Ib:表示測試三極管 VBE 壓降時的輸入電流.
(2)Vce:Bv:表示測試三極管耐壓 BVceo 時輸入的測試電壓.
(3)Vce:Ir:表示測試三極管耐壓 BVceo 時輸入的測試電流.
(4)HEF:Ic:表示測試三極管直流放大倍數(shù)的集電極電流.
(5)HEF:Vce:表示測試三極管直流放大倍數(shù)的集電極電壓
(6)Vsat:Ib:表示測試三極管飽和導通壓降時輸入基極的電流.
(7)Vsat:Ic:表示測試三極管飽和導通壓降時輸入集電極的電流.
(8)Vb:表示三極管的輸入壓降 VBE.
(9)VCEO:表示三極管的耐壓(BVceo).
(10)HEF:表示三極管的直流放大倍數(shù)(HEF).
(11)Vsat:表示三極管的飽和導通壓降(VCEsat).
(12)TestModel:Auto :表示設(shè)置為自動識別測試.
(13)TestModel:Manual :表示設(shè)置為手動測試.
2、MOSFET/場效應(yīng)管
(1)Vth:ID:表示測試場效應(yīng)管柵極啟動電壓(Vgs(th))的輸入電流.
(2)Vds:Bv:表示測試場效應(yīng)管耐壓(BVdss)時的測試電壓.
(3)Vds:Ir:表示測試場效應(yīng)管耐壓(BVdss)時的測試電流.
(4)Rs:Vg:表示測試場效應(yīng)管內(nèi)阻(Rson)時加在柵極的電壓.
(5)Rs:ID:表示測試場效應(yīng)管內(nèi)阻(Rson)時的測試電流.
(6)Vth:表示場效應(yīng)管的啟動電壓(Vgs(th)).
(7)Bvds:表示場效應(yīng)管的耐壓(BVdss).
(8)Rs:表示場效應(yīng)管的導通內(nèi)阻(Rdson)
(9)Igss:OG:表示測試場管輸入端 G 極的電容漏電特性，該設(shè)置數(shù)據(jù)為延時時間數(shù)，利 用延時設(shè)定時間后 VGS 電壓的保持量來測漏電特性。
(10)Test:T:表示測試多少次后就停止測試?？稍O(shè)定到 9999 次。
3、JFTE/結(jié)型場效應(yīng)管
(1)Ids:Vd 表示測試結(jié)型場效應(yīng)管漏極飽和電流(Idss)加在 D 極和 S 極的電壓(Vds)
(2)Vds:Bv 表示測試結(jié)型場效應(yīng)管耐壓(BVdss)時的測試電壓.
(3)Vr:Ir 表示測試結(jié)型場效應(yīng)管耐壓(BVdss)時的測試電流.
(4)Voff:Vd 表示測試結(jié)型場效應(yīng)管阻斷電壓(Vgs(off))加在 D 極和 S 極的電壓(Vds).
(5)Voff:Id 表示測試結(jié)型場效應(yīng)管阻斷電壓(Vgs(off))加在 D 和 S 的電流.
(6)Is:表示結(jié)型場效應(yīng)管的漏源飽和電流(Idss),在 GS=0V 的條件下測得.
(7)Bvds:結(jié)型場效應(yīng)管在關(guān)斷時的擊穿電壓.
(8)Vof:結(jié)型場效應(yīng)管的阻斷電壓(VGS(off)).
(9)gm:結(jié)型場效應(yīng)管的跨導系數(shù),即導通內(nèi)阻的倒數(shù).
4、三端穩(wěn)壓 IC
(1)Vo:Vi 表示測試三端穩(wěn)壓時的輸入測試電壓.
(2)Vo:Vi 表示測試三端穩(wěn)壓時加在輸出端的負載電流
(3)Vo:表示三端穩(wěn)壓的輸出電壓數(shù).
5、基準 IC
(1)Vz:Iz 表示測試基準 IC 時的輸入測試電流.
(2)Vz:表示基準 IC 的穩(wěn)定電壓數(shù)
6、整流二極,三端肖特基整流器
(1)VF:IF 表示測試三端肖特正向壓降 VF 的測試電流.
(2)Vr:Bv 表示測試三端肖特反向耐壓(VRRM)的測試電壓.
(3)Ir:Fu 表示測試時反向漏電流參數(shù)是否要測，設(shè)大于 0 為開啟該項參數(shù)。
(4)Vr:Ir 表示測試三端肖特反向耐壓(VRRM)的測試電流.
(5)VF1:表示測試三端肖特正向壓降 1. (5)VF2:表示測試三端肖特正向壓降
BW-3022A測試技術(shù)指標：
1、 整流二極管,三端肖特基:
耐壓(VRR)測試指標
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-1600V | 2V | +/-2% | 0-2.000mA |
導通正向壓降(VF)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-2.000V | 2mV | +/-2% | 0-2.000A |
2 、N型三極管
輸入正向壓降(Vbe)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-2.000V | 2mV | +/-2% | 0-2.000A |
耐壓(Bvceo)測試指標
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-1600V | 2V | +/-5% | 0-2.000mA |
直流放大倍數(shù)(HEF)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-12000 | 1 | +/-2% | 0-2.000A(Ic) 0-20V(Vce) |
輸出飽和導通壓降(Vsat)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-2.000V | 2mV | +/-2% | 0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic) |
3、P型三極管
輸入正向壓降(Vbe)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-2.000V | 2mV | +/-2% | 0-2.000A |
耐壓(Bvceo)測試指標
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-1600V | 2V | +/-5% | 0-2mA |
直流放大倍數(shù)(HEF)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-3000 | 1 | +/-2% | 100uA(Ib) 5V(Vce)固定 |
輸出飽和導通壓降(Vsat)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-2V | 2mV | +/-2% | 0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic) |
4、N,P型MOS場效應(yīng)管
輸入啟動電壓(VGS(th))
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-20.00V | 20mV | +/-2% | 0-2.000mA |
耐壓(Bvds)測試指標
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-1500V | 2V | +/-5% | 0-2mA |
導通內(nèi)阻(Rson)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-9999MR | 0.1MR | +/-5% | 0-20.00V(VGS) 0-2.000A(ID) |
10R-100R | 0.1R | +/-5% | 0-20.00V(VGS) 0-2.000A(ID) |
5、三端穩(wěn)壓IC
輸出電壓(Vo)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-20.00V | 20mV | +/-2% | 0-20.00V(VI) 0-1.000A(IO) |
6、基準IC 431
輸出電壓(Vo)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-20.00V | 20mV | +/-2% | 0-1A(Iz) |
7、結(jié)型場效應(yīng)管
漏極飽和電流(Idss)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-40mA | 40uA | +/-2% | 0V(VGS) 0-20V(VDS) |
40-400mA | 400uA | +/-2% | 0V(VGS) 0-20V(VDS) |
耐壓(Bvds)測試指標
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-1600V | 2V | +/-5% | 0-2mA |
夾斷電壓(Vgs(off))
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-20.00V | 0.2V | +/-5% | 0-20V(VDS) 0-2mA(ID) |
共源正向跨導(gm)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-99mMHO | 1mMHO | +/-5% | 0V(VGS) 0-20V(VDS) |
8、雙向可控硅
導通觸發(fā)電流(IGT)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-40.00mA | 10uA | +/-2% | 0-20.00V(VD) IT(0-2.000A) |
導通觸發(fā)電壓(VGT)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-2.000V | 2mv | +/-2% | 0-20.00V(VD) IT(0-2.000A) |
耐壓(VDRM/VRRM)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-1500V | 2V | +/-5% | 0-2.000mA |
通態(tài)壓降(VTM)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-2.000V | 2mV | +/-2% | 0-2.000A(IT) |
保持電流(IH)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-400mA | 0.2mA | +/-5% | 0-400Ma(IT)
|
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