四探針電阻率/方阻測(cè)試儀（靈敏度：10μV）/
型號(hào)：GDS/KDY-1

嚴(yán)格按照硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制造，并針對(duì)目前常用的四探針電阻率測(cè)試儀存在的問(wèn)題加以改進(jìn)
是用來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料（主要是硅單晶、鍺單晶、硅片）電阻率，以及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠方塊電阻的測(cè)量?jī)x器。它主要由電氣測(cè)量部份（簡(jiǎn)稱：主機(jī)）、測(cè)試架及四探針頭組成。
本儀器的特點(diǎn)是主機(jī)配置雙數(shù)字表，在測(cè)量電阻率的同時(shí)，另一塊數(shù)字表（以之幾的精度）適時(shí)監(jiān)測(cè)程的電流變化，免除了測(cè)量電流/測(cè)量電阻率的轉(zhuǎn)換，及時(shí)掌控測(cè)量電流。主機(jī)還提供精度為0.05%的恒流源，使測(cè)量電流高度穩(wěn)定。本機(jī)配有恒流源開(kāi)關(guān)，在測(cè)量某些箔層材料時(shí)，可免除探針尖與被測(cè)材料之間接觸火花的發(fā)生，好地保護(hù)箔膜。儀器配置了本公司的產(chǎn)品：“小游移四探針頭”，探針游移率在0.1～0.2%。保證了儀器測(cè)量電阻率的重復(fù)性和準(zhǔn)確度。本機(jī)如加配HQ-710E數(shù)據(jù)處理器，測(cè)量硅片時(shí)可自動(dòng)進(jìn)行厚度、直徑、探針間距的修正，并計(jì)算、打印出硅片電阻率、徑向電阻率的zui大百分變化、平均百分變化、徑向電阻率不均習(xí)庋。給測(cè)量帶來(lái)很大方便。
2、主機(jī)技術(shù)能數(shù)
（1）測(cè)量范圍：
可測(cè)電阻率：0.0001～19.9999cm
可測(cè)方塊電阻：0.0001～1000Ωcm
（2）恒流源：
輸出電流：DC 0.001～100mA 五檔連續(xù)可調(diào)
量程：0.001～0.01mA
0.01～0.10mA
0.10～1.0mA
1.0～10mA
10～100mA
恒流精度：檔均低于±0.05%
（3）直流數(shù)字電壓表：
測(cè)量范圍：0～19.999mV
靈敏度：1μV
基本誤差：±（0.004%讀數(shù)+0.01%滿度）
輸出電源：≥1000ΩM
（4）供電電源：
AC 220V±10% 50/60 Hz 功率：12W
（5）使用環(huán)境：
溫度：23±2℃ 相對(duì)濕度：≤65%
較強(qiáng)的電場(chǎng)干擾，強(qiáng)光直接照射
（6）重量、體積：
主機(jī)重量：7.5kg
體積：365×380×160（單位：mm 長(zhǎng)度×寬度×高度）
 

四探針手動(dòng)測(cè)試架 測(cè)單晶棒用
型號(hào)：GDSKDJ-1B

測(cè)單晶棒用，豎測(cè)高度：500（mm）樣品臺(tái)面：300×320（mm）

四探針電阻率測(cè)試儀-紅寶石探針頭 B級(jí)（間距：1.0mm）
型號(hào)：GDSKDT-1

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
一、特點(diǎn)
1、 使用幾何尺寸的紅寶石軸套，確保探針間距的恒定、準(zhǔn)確。
2、 控制寶石內(nèi)孔與探針之間的縫隙不大于6μｍ，保證探針的小游移率。
3、 采用的S型懸臂式彈簧，使每根探針都具有立、準(zhǔn)確的壓力。
4、 量具精度的硬質(zhì)合金探針，在寶石導(dǎo)孔內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)動(dòng)，持久耐磨。
二、用途
1、 測(cè)量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率，測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻。
2、 測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。
三、探針間距
1、 直線四探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
2、 方形四探針…………… 1.00mm
3、 直線三探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
4、 兩探針    …………… 1.00mm、1.59mm、4.76mm、10.00mm
四、技術(shù)指標(biāo)
1、 游移率  
                   B級(jí)…………… ＜0.5%
                   *……………＜0.3%
                   A*………… ＜0.2%
                   AA*…………＜0.1%
2、 間距偏差 
                   B級(jí)…………… ＜3%
                   *…………… ＜2%
                   A*…………  ＜2%
                   AA*………… ＜1%
3、 zui大針與導(dǎo)孔間隙：0.006mm
4、 探針材料：硬質(zhì)合金（主成份：進(jìn)口碳化鎢）或高速鋼
5、 探針壓力      標(biāo)準(zhǔn)壓力：6—10N（4根針總壓力）
                        小壓力：1.2—5N（4根針總壓力）    
                        1牛頓（N）=101.97克
6、 針尖壓痕直徑：25—100μｍ、100—250μｍ（簿層）
7、 500V緣電阻：＞1000MΩ

四探針電阻率測(cè)試儀-紅寶石探針頭 *（間距：1.0mm）
型號(hào)：GDSKDT-1

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
一、特點(diǎn)
1、 使用幾何尺寸的紅寶石軸套，確保探針間距的恒定、準(zhǔn)確。
2、 控制寶石內(nèi)孔與探針之間的縫隙不大于6μｍ，保證探針的小游移率。
3、 采用的S型懸臂式彈簧，使每根探針都具有立、準(zhǔn)確的壓力。
4、 量具精度的硬質(zhì)合金探針，在寶石導(dǎo)孔內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)動(dòng)，持久耐磨。
二、用途
1、 測(cè)量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率，測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻。
2、 測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。
三、探針間距
1、 直線四探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
2、 方形四探針…………… 1.00mm
3、 直線三探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
4、 兩探針    …………… 1.00mm、1.59mm、4.76mm、10.00mm
四、技術(shù)指標(biāo)
1、 游移率  
                   B級(jí)…………… ＜0.5%
                   *……………＜0.3%
                   A*………… ＜0.2%
                   AA*…………＜0.1%
2、 間距偏差 
                   B級(jí)…………… ＜3%
                   *…………… ＜2%
                   A*…………  ＜2%
                   AA*………… ＜1%
3、 zui大針與導(dǎo)孔間隙：0.006mm
4、 探針材料：硬質(zhì)合金（主成份：進(jìn)口碳化鎢）或高速鋼
5、 探針壓力      標(biāo)準(zhǔn)壓力：6—10N（4根針總壓力）
                        小壓力：1.2—5N（4根針總壓力）    
                        1牛頓（N）=101.97克
6、 針尖壓痕直徑：25—100μｍ、100—250μｍ（簿層）
7、 500V緣電阻：＞1000MΩ

四探針電阻率測(cè)量系統(tǒng)微控制器及配套軟件（含通訊）
型號(hào)：GSKDY

   GSKDY測(cè)量系統(tǒng)微控制器及配套軟件于硅晶體的電阻率測(cè)量，集多種測(cè)量方法為一體，是與電阻率測(cè)試儀配套使用，自動(dòng)獲取電壓讀數(shù)，計(jì)算并修正電阻率值，數(shù)據(jù)自動(dòng)保存，快速查詢，提供打印及導(dǎo)出格式，操作簡(jiǎn)單，方便可靠。

測(cè)量系統(tǒng)（含通訊）設(shè)計(jì)語(yǔ)言：VC++
可對(duì)四探針、兩探針電阻率測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行處理并修正測(cè)量數(shù)據(jù)，特定數(shù)據(jù)存儲(chǔ)格式，顯示變化曲線兼容性：適用于電腦，支持 Windows XP、Vista，