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瞬態(tài)熱阻測(cè)試-功率老化

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參考價(jià):99

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產(chǎn)品型號(hào)
長(zhǎng)禾CNAS
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西安市

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西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)廠家

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

加工定制	是

瞬態(tài)熱阻測(cè)試-功率老化
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室"），作為CNAS功率器件測(cè)試服務(wù)中心，嚴(yán)格遵循國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，為國(guó)內(nèi)外客戶提供一站式的專業(yè)測(cè)試服務(wù)。實(shí)驗(yàn)室全面覆蓋IGBT、MOSFET、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗(yàn)證、可靠性評(píng)估和失效分析。

詳細(xì)介紹

瞬態(tài)熱阻測(cè)試-功率老化-第三方檢測(cè)中心

高溫反偏試驗(yàn)（HTRB）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟? 150℃；電壓 5000V；

高溫柵偏試驗(yàn)（HTGB）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、。

試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟? 150℃；電壓 100V；

高溫高濕反偏試驗(yàn)（H3TRB）