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西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
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長禾CNAS
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西安市
1 99元 999件可售
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更新時間：2025-05-19 11:00:04瀏覽次數(shù)：237次
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高/低溫存儲HTSL/LTSL-環(huán)境老化試驗
功率器件參數(shù)驗證與二次篩選測試：保障器件性能穩(wěn)定，助力客戶優(yōu)化供應(yīng)鏈質(zhì)量控制。
車規(guī)級元器件檢測：針對新能源汽車領(lǐng)域，提供符合嚴(yán)苛車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的功率器件篩選與可靠性驗證，助力行業(yè)客戶突破核心技術(shù)瓶頸。
環(huán)境與老化實驗：模擬特殊環(huán)境下器件工作狀態(tài)，確保產(chǎn)品在復(fù)雜工況中長期可靠運行。
高/低溫存儲HTSL/LTSL-環(huán)境老化試驗
西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（簡稱“長禾實驗室"），位于中國西部科技創(chuàng)新高地——西安市，專注于功率半導(dǎo)體器件檢測與驗證。
作為國家認(rèn)可委員會（CNAS）正式認(rèn)證的大功率器件測試服務(wù)中心，長禾實驗室嚴(yán)格遵循國際標(biāo)準(zhǔn)，致力于為國內(nèi)外客戶提供一站式專業(yè)測試服務(wù)。實驗室配備功率半導(dǎo)體測試設(shè)備和自動化測試平臺，全面覆蓋IGBT、MOSFET、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗證、可靠性評估和失效分析。憑借技術(shù)實力和創(chuàng)新能力，已成長為國內(nèi)少數(shù)具備全鏈條功率器件測試、篩選及老化服務(wù)的機(jī)構(gòu)之一。業(yè)務(wù)涵蓋了軌道交通、新能源發(fā)電（風(fēng)電、光伏）、新能源汽車、國防、工業(yè)控制、科研機(jī)構(gòu)等多個領(lǐng)域，為中國核心產(chǎn)業(yè)鏈提供堅實的技術(shù)保障。
完善的基礎(chǔ)設(shè)施和優(yōu)秀團(tuán)隊一直是實驗室強化的重點，實驗室核心團(tuán)隊研究生占比70%以上，具備深厚的學(xué)術(shù)背景和豐富的行業(yè)經(jīng)驗。在質(zhì)量控制方面，實驗室建立了完善的質(zhì)量管理體系，嚴(yán)格執(zhí)行實驗室管理標(biāo)準(zhǔn)。每個測試項目均建立了詳細(xì)的作業(yè)指導(dǎo)書，確保測試過程的標(biāo)準(zhǔn)化和可追溯性，數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和可靠性。
長禾實驗室秉持“嚴(yán)謹(jǐn)求實、精益求精"的企業(yè)精神，致力于推動中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的高質(zhì)量發(fā)展，助力打造具備競爭力的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)。未來，長禾實驗室將繼續(xù)發(fā)揮技術(shù)和資源優(yōu)勢，立足西安，努力成長為優(yōu)秀功率半導(dǎo)體測試與驗證服務(wù)平臺，助力中國“芯"騰飛。
高溫存儲試驗（HTSL）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，GB/T 2423.2-2008、GJB548、 ；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗?zāi)芰Γ簻囟?span> 220℃；
低溫存儲試驗（LTSL）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗?zāi)芰Γ簻囟?span> -70℃。
高低溫循環(huán)試驗（TC）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗?zāi)芰Γ簻囟确秶?span>-40℃~175℃。
溫度沖擊試驗
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB548、GJB 150-86、GB 2423、MIL-STD-810H、IEC60068-2-14；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗?zāi)芰Γ簻囟确秶?span>-70℃~220℃。
高溫蒸煮試驗（PCT）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 4937.4-2012?、JESD22-A110D-2010?
IPC/JEDECJ-STD-020D.1-2008?；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗?zāi)芰Γ?span style="font-family:'Times New Roman',serif">?溫度范圍?：105℃到142.9℃之間；濕度范圍?： 75%到100RH。
壓力范圍?：0.02MPa到0.186MPa。
可焊性試驗
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-202G、MIL-STD-883G、GB2423、IEC60068；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
振動試驗
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB 150.25-86、GB-T 4857.23-2003、GBT4857.10-2005；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗方法：模擬產(chǎn)品在運輸、安裝及使用環(huán)境下所遭遇到的各種振動環(huán)境影響，主要用于評定元器件、零部件及整機(jī)在預(yù)期的運輸及使用環(huán)境中的抵抗能力，以了解產(chǎn)品的耐振壽命和性能指標(biāo)的穩(wěn)定性。
鹽霧試驗
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T2423.17—2008、GB/T2423.18—2000、GB5938—86；
試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗方法：通過人工模擬鹽霧環(huán)境條件來考核產(chǎn)品或金屬材料耐腐蝕性能的環(huán)境試驗。一般用于對材料(表面鍍層)或表面處理工藝進(jìn)行評價、篩選、對比，確定產(chǎn)品中潛在問題的區(qū)域和部位,發(fā)現(xiàn)質(zhì)量控制的不足,尋找設(shè)計缺陷等。
高/低溫存儲HTSL/LTSL-環(huán)境老化試驗
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