IGBT/SIC模塊功率循環(huán)試驗系統(tǒng)
GKH-PC-3000A 面議污水處理設(shè)備 污泥處理設(shè)備 水處理過濾器 軟化水設(shè)備/除鹽設(shè)備 純凈水設(shè)備 消毒設(shè)備|加藥設(shè)備 供水/儲水/集水/排水/輔助 水處理膜 過濾器濾芯 水處理濾料 水處理劑 水處理填料 其它水處理設(shè)備
深圳市華科智源科技有限公司
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| 參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號GKH-PC-3000A
品 牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地
聯(lián)系方式：陳經(jīng)理查看聯(lián)系方式
更新時間：2023-04-04 15:06:16瀏覽次數(shù)：1821次
聯(lián)系我時，請告知來自 環(huán)保在線華科智源-功率循環(huán)老化設(shè)備主要是針對IGBT/SIC的封裝可靠性行進行實驗,通過控制實驗條件再現(xiàn)IGBT封裝的主要兩種失效方式:鍵合線失效和焊料層老化。實驗的關(guān)鍵是控制結(jié)溫的波動范圍以及溫度,得到不同條件下的實驗壽命,從而得到IGBT的壽命。
| ★主要技術(shù)規(guī)格和性能: | ||
| 產(chǎn)品型號 | GKH-IGBT-3000A，GKH-PC-1500A | |
| 符合標(biāo)準(zhǔn) | 試驗線路及試驗方法滿足MIL-STD-750、GJB128、IEC60747-9及AEC-Q101相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求。 | |
| 試驗電流 | 加熱電流IH為3000A | |
| 系統(tǒng)組成 | 一臺K系數(shù)測試機，一臺試驗機及一臺制冷機組成。一套系統(tǒng)中即可測量器件的K系數(shù)，又可測量器件的熱阻值。并可對多只產(chǎn)品串聯(lián)做功率循環(huán)試驗。 | |
| 基本功能 | ①整機可以測試5個元件，5個元件串聯(lián)一起組成一組。試驗過程中的開通關(guān)斷以及恒流是通過大功率電子負載實現(xiàn)。相比直接的電子開關(guān)控制開通關(guān)斷，電子負載可以實現(xiàn)更精確的恒流。更快速的開通及關(guān)斷。 | |
| ②被測試元件分別固定在水冷板上。 | ||
| ③每個元件的Vge電源采用隔離電源，輸出電壓程控產(chǎn)生。定期測試Ige電流。 | ||
| ④通過實時監(jiān)測IH加熱電流，和VCE變化來判斷射極引線是否脫落。如果IH電流突然變?yōu)?，則可認為是射極引線脫落或材料開路，如果VCE變化越來越大，則可以認為部分射極引線脫落，或者是焊接不良或其它芯片原因，則設(shè)備停機報警 | ||
| ⑤定期檢測每只IGBT柵極引線是否脫落，判斷方法如下：使用IM小電流測試VCE， 如果VCE處于飽和壓降范圍內(nèi)，則認為柵極引線脫落。 | ||
| 監(jiān)控參數(shù) | 試驗電流IH、柵極電流Ige、柵極電壓Vge、集射極飽和壓降Vces、結(jié)到殼熱阻值Rth、高低結(jié)溫差值(Delta Tj)、殼溫及液冷平臺進出水口溫度、器件的壓力F（壓接型器件）、通斷時間、試驗周期數(shù)等。 | |
| 數(shù)據(jù)記錄 | 試驗全程記錄每個試驗通道的ICE、VCE@IH、VCE@IM、IGE、VGE、RthJc、F、ON/OFFTime、循環(huán)數(shù)，Delta Tj、Tjmax、Tjmin等參數(shù)。液冷平臺的進出水口溫度，制次機的水溫，器件的殼溫等。?？捎涗洈?shù)≥1000000次。 | |
| 計算機 | 工業(yè)級電腦主機、液晶顯示器、專用鍵盤及鼠標(biāo)。WINDOWS操作界面，友好的人機對話窗口， 強大的圖形編輯能力以及強大的器件庫供用戶選擇，軟件操作簡單易學(xué)。更有系統(tǒng)查詢診斷功能， 試驗狀況一目了然，方便用戶隨時查驗。 | |
| 電網(wǎng)要求 | 三相AC380V±10%，47Hz~63Hz，90KW | |
| 外形尺寸 | W2480mmхH1820mmхD1320mm | |
| 重量 | 約1200kg | |
功率循環(huán)測試-簡介
功率循環(huán)測試是一種功率半導(dǎo)體器件的可靠性測試方法，被列為AEC-Q101與AQG-324等車規(guī)級測試標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的必測項目。與溫度循環(huán)測試相比，功率循環(huán)是通過器件內(nèi)部工作的芯片產(chǎn)生熱量，使得器件達到既定的溫度；而溫度循環(huán)則是通過外部環(huán)境強制被測試器件達到測試溫度。
簡而言之，一個是運動發(fā)熱，一個是高溫中暑。
由于在功率循環(huán)測試中的被測試器件的發(fā)熱部分集中在器件工作區(qū)域，其封裝老化（aging）模式與正常工作下的器件相類似，故功率循環(huán)測試被認可為于實際應(yīng)用的功率器件可靠性測試而受到廣泛的關(guān)注。
功率循環(huán)測試過程中，器件內(nèi)部溫度分布以及應(yīng)力變化
功率循環(huán)測試臺是用于功率器件進行功率循環(huán)測試的設(shè)備，其設(shè)計原理并不復(fù)雜。在試驗臺中，通過電流源供給負載電流給被測試器件，電流/電壓探頭實時監(jiān)控被測試器件的電流/電壓數(shù)據(jù)，控制器操控電流源實現(xiàn)負載電流按既定時間中斷。設(shè)備整體的主要成本在電流源與控制器，設(shè)備的設(shè)計難度在于程序控制以及數(shù)據(jù)采集硬件。
功率循環(huán)測試設(shè)備簡圖
在功率循環(huán)測試過程中，直接檢測的數(shù)據(jù)是器件電壓降，負載電流以及器件底部溫度。通過選取數(shù)據(jù)采樣的時間點，收集被測試器件在溫與溫時的電壓與器件底部溫度變化，進而通過計算得出器件芯片溫度變化以及器件內(nèi)部的熱阻變化。
功率循環(huán)測試中，檢測時間點以及被測試參數(shù)
由于大多數(shù)器件在測試中是處于被封裝狀態(tài)，其內(nèi)部溫度不可通過直接手段進行檢測，故在功率循環(huán)測試中，器件內(nèi)部芯片的溫度是采用K系數(shù)的方式進行間接計算而獲得的。K系數(shù)代表器件芯片的溫度敏感電學(xué)參數(shù)，其選取的原則在于簡單、可靠、敏感度高。硅基IGBT芯片的溫度一般采用Vce（集電極-發(fā)射極電壓）進行計算。同時Vce也能反映IGBT器件內(nèi)部電流路徑的老化情況，5%的Vce增加被認定為器件損壞的標(biāo)準(zhǔn)。
IGBT器件的K系數(shù)（Vce-Tj 擬合線）
被測試器件的熱阻在功率循環(huán)測試中應(yīng)當(dāng)被實時監(jiān)控，因為其反映了器件散熱能力的變化。熱阻通過下列方程簡單計算得出，20%的Rth增長被認定為器件失效的標(biāo)準(zhǔn)。
以下列功率循環(huán)測試中收集的數(shù)據(jù)為例，Vce在427.4k循環(huán)數(shù)左右發(fā)生階段跳躍，同時器件芯片的溫度（Tj,high）上升明顯。這表明器件芯片表面的鍵合線出現(xiàn)斷裂或脫落。而Rth無明顯變化，表明器件內(nèi)部散熱層老化情況不明顯。
功率循環(huán)測試中的數(shù)據(jù)
上圖中的功率循環(huán)測試數(shù)據(jù)有一個明顯的缺陷，即測試數(shù)據(jù)的噪聲較大，無法準(zhǔn)確反映器件內(nèi)部的真實情況。出現(xiàn)這種缺陷的原因有：被測試器件電學(xué)連接不規(guī)范，功率循環(huán)測試設(shè)備的精度有限，測試數(shù)據(jù)監(jiān)測時間點的選取失誤等等。
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