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行業(yè)產(chǎn)品

  • 行業(yè)產(chǎn)品

深圳市華科智源科技有限公司


  • 分立器件測(cè)試儀

    詳細(xì)摘要: 分立器件測(cè)試儀設(shè)備擴(kuò)展性強(qiáng),通過(guò)選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開(kāi)爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-DC-2010所在地:深圳市更新時(shí)間:2024-05-13 在線留言

  • SIC器件參數(shù)測(cè)試儀

    詳細(xì)摘要: 品牌: 華科智源 名稱: SIC動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 型號(hào): HUSTEC-3000 用途: SIC器件,MOS管, IGBT測(cè)試

    產(chǎn)品型號(hào):hustec-3000所在地:更新時(shí)間:2023-08-08 在線留言

  • 超聲波掃描顯微鏡

    詳細(xì)摘要: 掃描顯微鏡是一種利用傳播媒介的無(wú)損檢測(cè)設(shè)備。在工作中采用反射或者透射等掃描方式來(lái)檢查元器件、材料、晶圓等樣品內(nèi)部的分層、空洞、裂縫等缺陷。

    產(chǎn)品型號(hào):UTScan400所在地:更新時(shí)間:2023-08-08 在線留言

  • IGBT/SIC模塊功率循環(huán)試驗(yàn)系統(tǒng)

    詳細(xì)摘要: 華科智源-功率循環(huán)老化設(shè)備主要是針對(duì)IGBT/SIC的封裝可靠性行進(jìn)行實(shí)驗(yàn),通過(guò)控制實(shí)驗(yàn)條件再現(xiàn)IGBT封裝的主要兩種失效方式:鍵合線失效和焊料層老化。實(shí)驗(yàn)的關(guān)...

    產(chǎn)品型號(hào):GKH-PC-3000A所在地:更新時(shí)間:2023-04-04 在線留言

  • 華科智源IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-1600A-MT

    詳細(xì)摘要: 華科智源HUSTEC-1600A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:更新時(shí)間:2023-04-04 在線留言

  • SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀

    詳細(xì)摘要: 功能及主要參數(shù):  適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-3000所在地:更新時(shí)間:2023-04-04 在線留言

  • 浪涌電流測(cè)試儀

    詳細(xì)摘要: 品牌: 華科智源 名稱: 浪涌電流測(cè)試儀 型號(hào): HUSTEC-IFSM-1200A 用途: 浪涌電流是指電源線接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-IFSM-1200A所在地:深圳市更新時(shí)間:2023-03-29 在線留言

  • 雪崩能量測(cè)試儀

    詳細(xì)摘要: ITC55100雪崩能量測(cè)試儀是原成功產(chǎn)品ITC5510的升級(jí)版本,它能執(zhí)行ITC5510系列的所有測(cè)試,同時(shí)增加了許多功能,如提高測(cè)試精度,測(cè)試結(jié)果的收集,查...

    產(chǎn)品型號(hào):ITC55100所在地:深圳市更新時(shí)間:2023-03-29 在線留言

  • IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)

    詳細(xì)摘要: IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊(IGBT、FRD、肖特基二極管等)的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試,以表征器件的動(dòng)態(tài)特性,通過(guò)特制測(cè)試夾具的連接,實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參...

    產(chǎn)品型號(hào):PT-1224所在地:深圳市更新時(shí)間:2023-03-29 在線留言

  • 柵極電阻測(cè)試儀

    詳細(xì)摘要: 華科智源結(jié)電容測(cè)試儀,可以測(cè)試MOS管,IGBT,SIC器件的柵極電阻和柵極電容,包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容,Rg等參數(shù),可...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-CV-1200所在地:深圳市更新時(shí)間:2023-03-29 在線留言

  • IGBT測(cè)試儀

    詳細(xì)摘要: HUSTEC-1600A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管,MO...

    產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1600A-MT所在地:深圳市更新時(shí)間:2023-03-29 在線留言



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