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真空晶體生長爐

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更新時間：2022-03-25 09:57:31瀏覽次數(shù)：330次

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產品簡介

真空晶體生長爐主要用于碳化硅、硒化鋅等晶體的生長

詳細介紹

真空晶體生長爐技術特征

采用*的控制技術，能精密控制爐內壓力，爐膛內壓力波動?。?/span>

采用動密封技術，能精密控制坩堝移動與旋轉；

采用特殊結構設計，能有效控制籽晶位置；

采用特殊的爐膽結構和加熱器布置，經溫場模擬計算，能有效控制爐內溫場分布；

具備柔性抽真空、爐內分壓控制等功能；

采用*的隔熱結構和材料，爐膽隔熱性能好、蓄熱少，

采用特殊的高溫紅外測量技術，控溫準確，誤差小。

真空晶體生長爐產品規(guī)格

型號/參數(shù)	VCG-4	VCG-6	VCG-8
產品尺寸	4英寸	6英寸	8英寸
溫度（℃）	2400-2600	2400-2600	2400-2600
溫度均勻性（℃）	±5	±5	±5
極限真空度（Pa）	10^-5-10^-3	10^-5-10^-3	10^-5-10^-3
壓升率（pa/h）	0.67	0.67	0.67

真空晶體生長爐配置選擇

結構形式：上出料/下出料

爐門鎖緊方式：手動/自動

爐殼材質：內層不銹鋼/全碳鋼/全不銹鋼

保溫材質：高純碳氈/石墨氈/固化氈

加熱器：等靜壓石墨/金屬

熱電偶：C/K/N/S分度號

紅外儀：單比色/雙比色

適于工藝氣氛：N₂/Ar/H₂

關鍵詞：生長爐加熱器熱電偶

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