【產(chǎn)品簡介】
centrotherm c.RAPID 200 RTP 系統(tǒng)是一種靈活的工藝設備，用于在惰性加工環(huán)境或活性加工環(huán)境下對硅、鍺與化合物半導體晶圓與器件進行均勻的可控加熱。商先創(chuàng)公司以合理的成本把精密溫度與環(huán)境控制以及自動晶圓運輸技術運用于小尺寸晶圓加工。c.RAPID 200 加熱條件從200°C到1200°C不等，加熱時間從幾秒鐘到幾分鐘不等。采用*的反饋溫度控制與現(xiàn)代圖形用戶界面。模塊化系統(tǒng)設計允許采用同樣的加工反應腔與加工配方進行大批量制造的開發(fā)與小規(guī)模試驗性生產(chǎn)配置。
【適用工藝】
·STI襯墊
·增強高k介質界面的可靠性
·界面氧化物生成與退火
·沉積氧化物致密化
·FinFET 柵氧化
·RRAM與MRAM金屬氧化
【產(chǎn)品優(yōu)點】
·加工多種材料，包括Si、化合物半導體（SiC、GaN、InP、GaAs）、藍寶石等
·能夠加工支撐架上或在“盒"內(nèi)的晶圓或器件
·全自動或半自動晶圓運輸（包括每次行程運輸多片晶圓的選項）
·*的反饋溫度控制（使用光學高溫計）
·溫度范圍200至1200°C
·晶圓加工尺寸從100和200毫米
·優(yōu)異的均勻性
·低壓運轉
環(huán)保在線