產(chǎn)品概述：
納米級(jí)物質(zhì)成像、分析和控制 — 這些未來(lái)研發(fā)的關(guān)鍵因素 — 因 Helios NanoLab DualBeam 系列儀器的誕生而變得普通平淡。 這些儀器融合了掃描電子顯微鏡 (SEM) 和聚焦離子束 (FIB) 技術(shù)，包括創(chuàng)新的氣體化學(xué)、檢測(cè)器和操縱器。 憑借的 SEM 分辨率、圖像質(zhì)量和令人驚嘆的 Tomahawk™ FIB 性能，半導(dǎo)體和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)實(shí)驗(yàn)室、研究機(jī)構(gòu)和工業(yè)界均可輕松快捷地實(shí)現(xiàn)樣品成像、銑蝕或制備。

主要優(yōu)點(diǎn)：
•Helios NanoLab 系列儀器代表了 FEI 在場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡 (FESEM) 和聚焦離子束 (FIB) 技術(shù)及兩者結(jié)合使用方面取得的進(jìn)展。 作為 FEI 的第 11 代 DualBeam 平臺(tái)，旨在深刻體驗(yàn)全新的超高分辨率二維和三維表征、高質(zhì)量樣品制備和納米原型制造世界。
•Helios NanoLab 600i 在離子束、電子束、圖形和眾多功能方面取得顯著改進(jìn)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用的納米級(jí)銑蝕、成像、分析和樣品制備。
•Helios NanoLab 1200 DualBeam 是一款可用于300mm晶片的平臺(tái). 在需要保證晶片不受損傷的條件下它有的性能. FEI在完整晶片上的雙束DualBeam技術(shù)得益于FEI的電子和離子光學(xué), 它可在的高分辨率下完成完整晶片上透射電鏡樣品制備, 缺陷表征和分析
•Helios NanoLab 450S 極為適合高生產(chǎn)量、高分辨率 S/TEM 樣品制備、成像和分析。 的 FlipStage 和原位 STEM 探測(cè)器可在數(shù)秒內(nèi)實(shí)現(xiàn)從樣品制備到 STEM 成像，同時(shí)不會(huì)破壞真空狀態(tài)或讓樣品暴露于環(huán)境。