ESS03是針對科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測量領域推出的波長掃描式高精度多入射角光譜橢偏儀，此系列儀器的波長范圍覆蓋紫外、可見、近紅外、到遠紅外。
ESS03采用寬光譜光源結合掃描單色儀的方式實現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測量。
ESS03系列多入射角光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構參數(shù)（如，膜層厚度、表面微粗糙度等）和光學參數(shù)（如，折射率n、消光系數(shù)k、復介電常數(shù)ε等），也可用于測量塊狀材料的光學參數(shù)。
ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。
技術特點：
極寬的光譜范圍
采用寬光譜光源、寬光譜掃描德系統(tǒng)光學設計，保證了儀器在極寬的光譜范圍下都具有高準確度，非常適合于對光譜范圍要求嚴格的場合。
靈活的測量設置
儀器的多個關鍵參數(shù)可根據要求而設定（包括：波長范圍、掃描步距、入射角度等），地提高了測量的靈活性，可以勝任要求苛刻的樣品。
原子層量的檢測靈敏度
采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質量的設計和制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量地納米薄膜，膜厚精度達到0.05nm。
非常經濟的技術方案
采用較經濟的寬光譜光源結合掃描單色儀的方式實現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測量，儀器整體成本得到有效降低。
應用領域：
ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。
ESS03適合很大范圍的材料種類，包括對介質材料、聚合物、半導體、金屬等的實時和非實時檢測，光譜范圍覆蓋半導體地臨界點，這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量到10微米左右）。
ESS03可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應用領域包括：微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。
薄膜相關應用涉及物理、化學、信息、環(huán)保等，典型應用如：
半導體：如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）；
平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；
功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層，以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等；
生物和化學工程：有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。
節(jié)能環(huán)保領域：LOW-E玻璃等。
ESS03系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應用領域包括：固體（金屬、半導體、介質等），或液體（純凈物或混合物）。典型應用包括：
玻璃新品研發(fā)和質量控制等。
技術指標：
| 項目 | 技術指標 |
| 光譜范圍 | ESS03VI：370-1700nm ESS03UI：245-1700nm |
| 光譜分辨率（nm） | 可設置 |
| 入射角度 | 40°-90°手動調節(jié)，步距5，重復性0.02 |
| 準確度 | δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° （透射模式測空氣時） |
| 膜厚測量重復性（1） | 0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 折射率n測量重復性（1） | 0.001 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 單次測量時間 | 典型0.6s / Wavelength / Point（取決于測量模式） |
| 光學結構 | PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有的準確度） |
| 可測量樣品大尺寸 | 直徑200 mm |
| 樣品方位調整 | 高度調節(jié)范圍：10mm |
| 二維俯仰調節(jié)：±4° |
| 樣品對準 | 光學自準直顯微和望遠對準系統(tǒng) |
| 軟件 | •多語言界面切換 |
| •預設項目供快捷操作使用 |
| •安全的權限管理模式（管理員、操作員） |
| •方便的材料數(shù)據庫以及多種色散模型庫 |
| •豐富的模型數(shù)據庫 |
| 選配件 | 自動掃描樣品臺 聚焦透鏡 |
注：(1)測量重復性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量30次所計算的標準差。
可選配件：
NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
VP01真空吸附泵
VP02真空吸附泵
樣品池
