IGBT/SIC模塊功率循環(huán)試驗(yàn)系統(tǒng)
GKH-PC-3000A 面議污水處理設(shè)備 污泥處理設(shè)備 水處理過濾器 軟化水設(shè)備/除鹽設(shè)備 純凈水設(shè)備 消毒設(shè)備|加藥設(shè)備 供水/儲(chǔ)水/集水/排水/輔助 水處理膜 過濾器濾芯 水處理濾料 水處理劑 水處理填料 其它水處理設(shè)備
深圳市華科智源科技有限公司
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| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)GKH-HTGB-C16
品 牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地
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更新時(shí)間：2023-04-04 15:13:04瀏覽次數(shù)：484次
聯(lián)系我時(shí)，請告知來自 環(huán)保在線華科智源-HTGB高溫柵偏系統(tǒng)，將被測量元件放置在一定的環(huán)境溫度中，給被測元件的柵極施加一定的偏置電壓。系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢測每個(gè)材料的漏電流、電壓，當(dāng)被測材料實(shí)時(shí)漏電流超過設(shè)定值時(shí)，自動(dòng)切斷被測材料上的電壓。
| ★主要技術(shù)規(guī)格和性能: | ||
| 產(chǎn)品型號(hào) | GKH-HTGB-C16 | |
| 產(chǎn)品名稱 | 高溫柵偏試驗(yàn)系統(tǒng) | |
| 高溫試驗(yàn)箱 | PH-201高溫試驗(yàn)箱一臺(tái)， | |
| 試驗(yàn)區(qū)域 | 16個(gè) | |
| 試驗(yàn)容量 | 每通道80工位，共16通道。 | |
| 試驗(yàn)電源 | 選配TDK的Z+系列電源或安捷倫試驗(yàn)電源。 | |
| 電源數(shù)量：配置4臺(tái)/8臺(tái)電源。 | ||
| 輸出范圍：0～35V或0～60V。 | ||
| 主要功能 | ① 正常HTGB試驗(yàn)，通過按鈕可以選擇正柵壓或負(fù)柵壓，兩種偏壓工作時(shí)只能二選一，不能同時(shí)工作。 | |
| ② 熱阻測量，即測量HTGB工作時(shí)的Tj值。 | ||
| ③ 高溫試驗(yàn)箱內(nèi)可放置4層板或8層板。具體需根據(jù)器件的封裝尺寸定義。當(dāng)被測量模塊體積過大時(shí)，由于體積的限制，被測器件數(shù)據(jù)需相應(yīng)減少。 | ||
| ④ 可選配溫度為300℃的高溫試驗(yàn)箱。 | ||
| 測控功能 | ① 檢測每個(gè)材料的電壓、漏電流值。 | |
| ② 漏電流超限保護(hù)，自動(dòng)切斷測量回路。 | ||
| ③ 測量電流范圍：1nA～100uA； | ||
| ④ 電流分辨率：0.5nA； | ||
| ⑤ 測量精度：±2%±3nA； | ||
| 防靜電設(shè)計(jì) | ① 設(shè)備外殼良好接地； | |
| ② 預(yù)留靜電接地端子（香蕉插頭插孔）方便操作員連接靜電環(huán)。 | ||
| 計(jì)算機(jī) | 工業(yè)級電腦主機(jī)、液晶顯示器、專用鍵盤及鼠標(biāo)。WINDOWS操作界面，友好的人機(jī)對話窗口， 強(qiáng)大的圖形編輯能力以及強(qiáng)大的器件庫供用戶選擇，軟件操作簡單易學(xué)。更有系統(tǒng)查詢診斷功能， 試驗(yàn)狀況一目了然，方便用戶隨時(shí)查驗(yàn)。 | |
| 老化板 | 可按客戶的器件封裝定制老化板。 | |
| 電網(wǎng)要求 | 單相AC220V±10%，47Hz~63Hz，6KW | |
| 外形尺寸 | W1360mmхH1820mmхD1320mm | |
| 重量 | 約500kg | |
高溫反偏試驗(yàn)（High Temperature Reverse Bias Test，HTRB）是在高溫下加上反向偏壓的工作模式，由于高溫下漏電流增加，質(zhì)量差的器件就會(huì)失效，以此評估產(chǎn)品的可靠性。
測試溫度：125℃，150℃或175℃。
測試時(shí)間：168h，500h，1000h。
測試目的：研究器件在靜態(tài)工作模式下，以額定反向直流電壓下或者80%額定反向直流電壓進(jìn)行工作，以確定偏置條件和溫度隨時(shí)間對固態(tài)設(shè)備的影響。
參考測試標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A108
高溫柵偏試驗(yàn)（High Temperature Gate Bias, HTGB）主要是用于測定柵氧本身及相關(guān)界面的可靠性。
測試溫度：150℃或175℃。
測試時(shí)間：500h，1000h。
參考測試標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A108
HTBR和HTGB是可靠性測試中見的測試項(xiàng)目。
適用測試器件：功率二極管， SiC肖特基和肖特基二極管，晶閘管，三端雙向可控硅和IGBT。
試驗(yàn)設(shè)備：高溫反偏試驗(yàn)機(jī)
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