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行業(yè)產(chǎn)品

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深圳市華科智源科技有限公司


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SIC碳化硅器件參數(shù)測試儀

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參  考  價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號HUSTEC-3000

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地

聯(lián)系方式:陳經(jīng)理查看聯(lián)系方式

更新時間:2023-04-04 14:51:10瀏覽次數(shù):257次

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經(jīng)營模式:生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品:77條

所在地區(qū):廣東深圳市

聯(lián)系人:陳經(jīng)理 (銷售)

產(chǎn)品簡介

功能及主要參數(shù):  適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時間參數(shù)測試。

詳細介紹

功能及主要參數(shù):
  適用碳化硅二極管、IGBT模塊/MOS管等器件的時間參數(shù)測試。
  主要技術(shù)參數(shù):
  IGBT開關(guān)特性測試
  開關(guān)時間測試條件
  Ic:50A~1000A Vce:200V~2000V
  Vgs:-10V~+20V Rg:1R~100R可調(diào)(可選擇4檔及外接)
  負  載:感性負載阻性負載可切換
  電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH
  電阻范圍:0.5R、1R、2R、4R
  IGBT開關(guān)特性測試參數(shù)
  開通延遲td(on): 20nS -10uS
  上升時間tr: 20nS -10uS
  開通能量Eon: 0.1-1000mJ
  關(guān)斷延遲時間td(off):20 nS -10uS
  下降時間 tf: 20nS -10uS
  關(guān)斷能量Eoff:0.1-1000mJ
  二極管反向恢復(fù)特性測試
  FRD測試條件:正向電流IF:50A~1000A;反向電壓 Vr:200V~2000V;-di/dt:100A/us~10000A/us ;負載:感性負載可選
  電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH
  FRD測試參數(shù)
  反向恢復(fù)時間trr:20nS -2uS
  反向恢復(fù)電荷Qc:10nC~10uC;
  反向恢復(fù)電流Irm:50A~1000A
  反向恢復(fù)損耗Erec:0.1mJ~1000mJ
產(chǎn)品優(yōu)勢
  國內(nèi)能對二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時間參數(shù)實施測試的設(shè)備。

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