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北京中科復華科技有限公司
DISC-IBE-150C/200C
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更新時間:2024-04-09 09:59:40瀏覽次數(shù):520次
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IBE刻蝕機采用離子束刻蝕技術,其原理基于離子和固體表面的相互作用。具體而言,離子束通過控制系統(tǒng)加速并聚焦,然后瞄準待刻蝕的樣品表面。離子束在與樣品表面相撞時,會發(fā)生多種相互作用,包括散射、表面反射、電子激發(fā)和離子抑制等。其中,離子抑制是IBE刻蝕機的核心原理
應用方向:科研與教學
產(chǎn)品優(yōu)勢:負角度刻蝕降低反污染,熱態(tài)、冷態(tài)兩種中和系統(tǒng),刻蝕腔體前后開門
產(chǎn)品配置:
★離子源種類:考夫曼離子源
★離子源口徑:Φ160mm/220mm
★中和方式:燈絲、冷態(tài)等離子體橋
★樣片數(shù)量及尺寸:1片Φ100mm/150mm樣品
★刻蝕材料:包括并不限于硅、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、合金、陶瓷等。
★刻蝕腔體:高真空系統(tǒng)
★刻蝕不均勻性:±3%-±6%
★刻蝕速率:10-500nm/min(視具體材料與工藝)
★工作臺:可旋轉(zhuǎn),可自傳,可調(diào)距離,包含水冷
★工藝氣路:1-2路
★束流檢測:法拉第筒在線檢測
★終點檢測控制:可選配質(zhì)譜儀
★操作模式:全自動+半自動控制
選型參考:DISC-IBE-150C(離子源口徑160mm);DISC-IBE-200C(離子源口徑220mm)
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