北京中科復(fù)華科技有限公司
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詳細(xì)摘要： EKC265™蝕刻后殘留物器廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體行業(yè)，以滿足關(guān)鍵的清潔需求從高深寬比MEMS器件100μm+到DRAM 的70nm集成的各個階段
產(chǎn)品型號：杜邦 EFC265所在地：北京市更新時間：2024-04-28 在線留言
詳細(xì)摘要： 是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離后在襯底上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)沉積的半導(dǎo)體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法
產(chǎn)品型號：PECVD-601/801/1201所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)是化合物半導(dǎo)體器件制作中的一種重要工藝技術(shù)。它是在高真空狀態(tài)下由電子束加熱坩堝中的金屬，使其熔融后蒸發(fā)到所需基片上形成金屬膜。可蒸發(fā)很多難熔金屬或...
產(chǎn)品型號：MEB-600/800所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 磁控濺射法是在高真空充入適量的氬氣，在陰極（柱狀靶或平面靶）和陽極（鍍膜室壁） 之間施加幾百K 直流電壓，在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電，使氬氣發(fā)生電離。
產(chǎn)品型號：MSP-300/400/5100/6200所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細(xì)摘要： IBE刻蝕機(jī)采用離子束刻蝕技術(shù)，其原理基于離子和固體表面的相互作用。具體而言，離子束通過控制系統(tǒng)加速并聚焦，然后瞄準(zhǔn)待刻蝕的樣品表面。離子束在與樣品表面相撞時，...
產(chǎn)品型號：DISC-IBE-150C/200C所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 反應(yīng)離子腐蝕技術(shù)是一種各向異性很強(qiáng)、選擇性高的干法腐蝕技術(shù)。它是在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來進(jìn)行刻蝕的，利用了離子誘導(dǎo)化學(xué)反應(yīng)來實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，即是利用離...
產(chǎn)品型號：DISC-RIE-601/801/1201所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 感應(yīng)耦合等離子體刻蝕系統(tǒng)利用射頻天線，通過感應(yīng)耦合方式在放電腔中產(chǎn)生高密度等離子體，同時刻蝕工作臺引入射頻偏壓，射頻偏壓作用下，等離子體中垂直向下對被刻蝕材料表...
產(chǎn)品型號：DISC-ICP-601/801/1201/所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 截止到2008年1月，ABM公司在世界范圍售出了500多臺光刻機(jī)，50多臺單獨(dú)曝光系統(tǒng)?？蛻舭绹鳱SA和INTEL、哈佛大學(xué)、LG、菲利普、惠普、3M等，A...
產(chǎn)品型號：ABM/6/350/NUV/DCCD/SA所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 光刻機(jī)可廣泛用于MEMS和光電子，例如LED生產(chǎn)。它經(jīng)過特殊設(shè)計(jì)，方便處理各種非標(biāo)準(zhǔn)基片
產(chǎn)品型號：URE-2000/17/25/35/34AL所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 薄膜應(yīng)力測量：在硅片等基板上附膜時，由于基板和薄膜的物理定數(shù)有異，產(chǎn)生應(yīng)力，進(jìn)而引起基板變形。由涂抹均勻的薄膜引起的變形的表現(xiàn)為基板的翹曲，而薄膜應(yīng)力測量裝置F...
產(chǎn)品型號：日本 Toho FLX-2320系列所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細(xì)摘要： pharos310曝光是利用電子束在涂有感光膠的晶片上直接描畫或投影復(fù)印圖形的技術(shù)，它的特點(diǎn)是分辨率高、圖形產(chǎn)生與修改容易、制作周期短。其中掃描曝光系統(tǒng)是電子束...
產(chǎn)品型號：pharos310所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言
詳細(xì)摘要： 圖形發(fā)生器+SEM(FIB)=簡易電子束曝光系統(tǒng)（EBL） 保留電鏡原有功能。
產(chǎn)品型號：DY-2000A所在地：北京市更新時間：2024-04-09 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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