濕法蝕刻的基本原理包括控制蝕刻劑的成分、濃度和溫度以實現(xiàn)所需的蝕刻特性。蝕刻劑成分決定了溶液的反應(yīng)性和可蝕刻材料的類型，而反應(yīng)性物質(zhì)的濃度則影響蝕刻速率和選擇性。蝕刻劑的溫度影響反應(yīng)動力學(xué)，較高的溫度通常會導(dǎo)致更快的蝕刻速率和增加的化學(xué)活性。

應(yīng)用：      

應(yīng)用EKC265™蝕刻后殘留物器廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體行業(yè)，以滿足關(guān)鍵的清潔需求

從高深寬比MEMS器件100μm+ 到*DRAM 的70nm集成的各個階段

下面列出了常見的應(yīng)用程序：

• 接觸清潔

• 金屬線清潔

• TSV深硅穿孔清潔

• 鎢埋位線清洗

• 聚酰亞胺清洗

• Pad清潔

• MEMS清洗

特征：

• 所有蝕刻后鋁清洗的單一解決方案

• 清洗接觸，金屬，穿孔和Pad

• 高度選擇性的殘留物去除

• 去除重有機(jī)殘留物

• 寬工藝窗口

• 高產(chǎn)率

• 穿孔接觸電阻降低

• 鋁清洗行業(yè)基準(zhǔn)